特許

J-GLOBAL ID：200903039811388547

アセナフチレン誘導体、重合体および反射防止膜形成組成物

発明者： 杉田 光 ,  今野 圭二 ,  田中 正人 ,  下川 努
出願人/特許権者： JSR株式会社
代理人 (1件)： 福沢 俊明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-283561
公開番号（公開出願番号）：特開2004-168748
出願日： 2003年07月31日
公開日（公表日）： 2004年06月17日
要約：

【課題】 特に、反射防止効果が高く、かつインターミキシングを生じることがない反射防止膜形成組成物、特に当該反射防止膜形成組成物に有用な重合体、および特に当該重合体の原料ないし中間体として有用なアセナフチレン誘導体を提供する。【解決手段】 アセナフチレン誘導体は、アセトキシメチルアセナフチレンおよびヒドロキシメチルアセナフチレンからなる。 重合体は下記式(3)で表される構造単位を有する。 【化3】(式中、R1 は水素原子または1価の有機基を示し、R2 およびR3 は1価の原子または1価の有機基を示す。) 反射防止膜形成組成物は、該構造単位および/またはベンゼン環に基-CH2 OR4(但し、R4 は水素原子または1価の有機基を示す。)を有するスチレン類あるいはビニルナフタレン類に対応する構造単位を有する重合体と溶剤を含有する。【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

下記式(1)で表されるアセトキシメチルアセナフチレン。

IPC (6件)：

C07C69/157 ,  C07C33/38 ,  C08F12/22 ,  C08F12/32 ,  C08F32/08 ,  G03F7/11

FI (6件)：

C07C69/157 ,  C07C33/38 ,  C08F12/22 ,  C08F12/32 ,  C08F32/08 ,  G03F7/11 503

Fターム (27件)：

2H025AB15 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025DA34 ,  4H006AA01 ,  4H006AB84 ,  4H006BJ50 ,  4H006FC36 ,  4H006FC56 ,  4H006FC74 ,  4H006FE11 ,  4H006KC12 ,  4J100AB00P ,  4J100AB07P ,  4J100AR09P ,  4J100BA03P ,  4J100BA04P ,  4J100BA20P ,  4J100BA41P ,  4J100BA52P ,  4J100BA56P ,  4J100BB00P ,  4J100BC43P ,  4J100CA01 ,  4J100CA04 ,  4J100DA01 ,  4J100JA46

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 特開昭59-93448号公報
  
• 反射防止膜形成組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-325670   出願人：ジェイエスアール株式会社
• 反射防止膜形成組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-220429   出願人：ジェイエスアール株式会社

審査官引用 (2件)

• 反射防止膜形成組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-325670   出願人：ジェイエスアール株式会社
• 反射防止膜形成組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-220429   出願人：ジェイエスアール株式会社