特許
J-GLOBAL ID：200903039811813507
凹部を有するシリコン基板とインクジェットヘッドの製造方法およびそのシリコン基板とインクジェットヘッド
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-009160
公開番号（公開出願番号）：特開平11-277755
出願日： 1999年01月18日
公開日（公表日）： 1999年10月12日
要約：
【要約】【課題】 凹部を有するシリコン基板とインクジェットヘッドの製造方法およびそのシリコン基板とインクジェットヘッドを提供する。【解決手段】 シリコン基板に対してウエット酸化を施して、凹部をエッチング形成するためのマスクとして熱酸化膜を形成し、マスク形成工程により形成された熱酸化膜をマスクとしてシリコン基板に凹部をエッチング形成し、エッチング工程後にマスク形成工程において形成された熱酸化膜をシリコン基板から除去し、除去工程後にシリコン基板に対してドライ酸化を施して、シリコン基板の保護膜を形成し、精密化、微細化、小型化を図った凹部を有するシリコン基板を製造するとともに、当該凹部を振動板やインクノズルとして、インクに対する耐腐蝕性が高く、省電力化を図ったインクジェットヘッドを製造する。
請求項（抜粋）：
シリコン基板に対してウエット酸化を施して、凹部をエッチング形成するためのマスクとして熱酸化膜を形成するマスク形成工程と、前記マスク形成工程により形成された熱酸化膜をマスクとして前記シリコン基板に凹部をエッチング形成するエッチング工程と、前記エッチング工程後に前記マスク形成工程において形成された熱酸化膜を前記シリコン基板から除去する除去工程と、前記除去工程後に前記シリコン基板に対してドライ酸化を施して、前記シリコン基板の保護膜を形成する保護膜形成工程と、を含むことを特徴とする凹部を有するシリコン基板の製造方法。
IPC (3件)：
B41J 2/16
, B41J 2/045
, B41J 2/055
B41J 3/04 103 H
, B41J 3/04 103 A
