特許

J-GLOBAL ID：200903039816393840

酸化珪素膜の形成方法及びその装置

発明者： 屋良 卓也
出願人/特許権者： 積水化学工業株式会社
代理人 (1件)： 河備 健二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-369493
公開番号（公開出願番号）：特開2002-176050
出願日： 2000年12月05日
公開日（公表日）： 2002年06月21日
要約：

【要約】【課題】 半導体素子の製造工程におけるシリコンウェーハ表面への酸化珪素膜の形成において、低温でシリコンウェーハを酸化して、シリコンウェーハ表面に良質の酸化珪素膜の形成方法及びその装置の提供。【解決手段】 大気圧近傍の圧力下で、対向する一対の電極の少なくとも一方の対向面に固体誘電体を設置し、当該一対の対向電極間に酸素含有ガスを導入してパルス状の電界を印加することにより得られるプラズマをシリコンウェーハに接触させ、シリコンウェーハ表面に酸化珪素膜を形成する方法及び装置。

請求項（抜粋）：

大気圧近傍の圧力下で、対向する一対の電極の少なくとも一方の対向面に固体誘電体を設置し、当該一対の対向電極間に酸素含有ガスを導入してパルス状の電界を印加することにより得られるプラズマをシリコンウェーハに接触させ、シリコンウェーハ表面に酸化珪素膜を形成する方法。

IPC (2件)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/31

FI (2件)：

H01L 21/316 A ,  H01L 21/31 A

Fターム (25件)：

5F045AA20 ,  5F045AB32 ,  5F045AC11 ,  5F045AC15 ,  5F045AC16 ,  5F045AC17 ,  5F045AD06 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AE29 ,  5F045AF03 ,  5F045DP23 ,  5F045DQ16 ,  5F045EE14 ,  5F045EH05 ,  5F045EH12 ,  5F045EH13 ,  5F045EH18 ,  5F045EH20 ,  5F058BC02 ,  5F058BF54 ,  5F058BF73 ,  5F058BG02 ,  5F058BG04 ,  5F058BJ01

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 積層膜の形成方法及びその形成装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-186314   出願人：積水化学工業株式会社
• 成膜方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-172147   出願人：株式会社東芝