特許

J-GLOBAL ID：200903095405936476

成膜方法

発明者： 勝又 竜太 ,  宮島 秀史
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-172147
公開番号（公開出願番号）：特開平11-016905
出願日： 1997年06月27日
公開日（公表日）： 1999年01月22日
要約：

【要約】【課題】 SiH4 ガスを用いた高密度プラズマCVD法によるSiO2 膜の成膜において、Si及びOの組成を化学量論的組成に保ち、かつ効率よく成膜レートを上昇させる。【解決手段】 高密度プラズマCVD法を用いて被処理基体上にSi及びOを主成分とする絶縁膜を成膜する方法において、原料ガスにSiH4 ガス及び少なくともOを含むガスを少なくとも含む混合ガスを用い、被処理基板へのO2 + イオンの単位時間あたりの入射量に対する被処理基板へのO+ イオンの単位時間あたりの入射量の比率を0.1以上にして成膜する。

請求項（抜粋）：

高密度プラズマCVD法を用いて被処理基体上にSi及びOを主成分とする絶縁膜を成膜する方法において、原料ガスにSiH4 ガス及び少なくともOを含むガスを少なくとも含む混合ガスを用い、被処理基板へのO2 +イオンの単位時間あたりの入射量に対する被処理基板へのO+ イオンの単位時間あたりの入射量の比率を0.1以上にして前記絶縁膜を形成することを特徴とする成膜方法。

IPC (5件)：

H01L 21/316 ,  C23C 16/50 ,  C23C 16/52 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31

FI (5件)：

H01L 21/316 X ,  C23C 16/50 ,  C23C 16/52 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31 C

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 成膜装置及び成膜方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-007895   出願人：キヤノン販売株式会社, アルキヤンテック株式会社, 株式会社半導体プロセス研究所
• シリコン化合物系絶縁膜の成膜方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-224066   出願人：ソニー株式会社