特許
J-GLOBAL ID：200903039818211456
半導体装置の検査方法及び検査装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
小川 勝男
, 田中 恭助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-138157
公開番号（公開出願番号）：特開2006-319022
出願日： 2005年05月11日
公開日（公表日）： 2006年11月24日
要約：
【課題】 半導体デバイス内部の電気不良となりうる微小結晶欠陥を、試料作成の時間を短縮して、高い空間分解能で評価できる半導体装置の検査技術を提供する。 【解決手段】 電流検出用探針プローブ11を被検査試料21表面に接触させて、低加速エネルギーの電子ビーム22を被検査試料21に照射・走査し、試料内部で発生するEBIC信号を検出する。その結果、従来の電流検出のための試料表面の金属膜作成を不要にし、短時間での評価を可能にする。また、試料内部での電子ビーム広がりを数十nmに抑制できるため、数十nmの空間分解能で結晶欠陥を評価できる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体装置に電子ビームを照射し走査する工程と、前記電子ビームにより前記半導体装置から二次的に発生する信号を検出する工程と、検出された信号を画像化して、第1の画像として表示する工程と、前記半導体装置内部に前記電子ビームを照射することによりキャリアを発生させる工程と、探針プローブを前記半導体装置に接触させ、前記探針プローブにより前記半導体装置内部で発生したキャリア電流を検出する工程と、検出されたキャリア電流を前記電子ビームの走査と同期させて画像化し、第2の画像として表示する工程とを有し、前記第1の画像および前記第2の画像をもとに、前記半導体装置の欠陥部を評価することを特徴とする半導体装置の検査方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L21/66 C
, G01R31/28 L
2G132AA00
, 2G132AE16
, 2G132AE23
, 2G132AF02
, 2G132AF13
, 2G132AL12
, 4M106BA01
, 4M106BA02
, 4M106BA14
, 4M106CA04
, 4M106CB19
, 4M106DJ23
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (3件)
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