特許
J-GLOBAL ID：200903050470708266
半導体デバイスの配線電流観測方法、検査方法および装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山内 梅雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-302649
公開番号（公開出願番号）：特開平9-145795
出願日： 1995年11月21日
公開日（公表日）： 1997年06月06日
要約：
【要約】【課題】 ビームの照射によって電子・正孔対の発生がなく、またイオンビームのような破壊的な要素のない半導体デバイスの配線電流観測方法、検査方法および装置を得ること。【解決手段】 試料台21に載置された試料としての集積回路12には、赤外線レーザ光源23から顕微鏡部本体24および対物レンズ25を経て赤外線レーザビーム11が照射される。集積回路12の電源端子には定電圧源15が接続されており、配線部分のビーム照射による抵抗変化でグランド端子に電流の変化が生じ、電流変化検出部17がこれを検出する。システム制御・信号処理部27はこの信号の処理を行って、像・波形表示部28に電流像、欠陥像または電流波形を表示させる。従来可視光を照射したのに対して、本発明では赤外線を使用するので、電子・正孔対の発生がなく、イオンビームのような破壊的な要素もない。
請求項（抜粋）：
赤外線ビームを半導体デバイスの被観測領域にチップの裏面または上面から照射し、この赤外線ビームの照射に伴ってこの半導体デバイスの所定の端子に現われる電流の変化を検出してその被観測領域の配線電流観測を行うことを特徴とする半導体デバイスの配線電流観測方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G01R 31/28 L
, H01L 21/66 S
