特許

J-GLOBAL ID：200903039838608026

カーボンナノチューブの改質方法、カーボンナノチューブ及び電子放出源

発明者： 平岡 弘之 ,  白鳥 洋介 ,  山本 雅英 ,  伊藤 茂生 ,  縄巻 健司
出願人/特許権者： 株式会社国際基盤材料研究所 ,  双葉電子工業株式会社
代理人 (1件)： 大塚 秀一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-304186
公開番号（公開出願番号）：特開2003-063814
出願日： 2001年08月24日
公開日（公表日）： 2003年03月05日
要約：

【要約】【課題】 カーボンナノチューブに含まれる金属類を容易に効率よく除去すること。【解決手段】 水素及び/又はヘリウムを共存させた所定のハロゲン系ガスを管110から反応容器101に供給すると共に管111から排出させながら、交流電源109からアノード102とカソード107間に交流電力を供給してプラズマを発生させ、これにより、基板105上のカーボンナノチューブに被着している金属や金属酸化物を除去してカーボンナノチューブの改質処理を行う。

請求項（抜粋）：

1対の電極間に水素及びヘリウムの少なくとも一方とハロゲン系ガスとを供給すると共に前記電極間に電力を供給することによってプラズマを発生させ、前記プラズマによってカーボンナノチューブに含有される金属類を除去することを特徴とするカーボンナノチューブの改質方法。

IPC (2件)：

C01B 31/02 101 ,  H01J 1/304

FI (2件)：

C01B 31/02 101 F ,  H01J 1/30 F

Fターム (4件)：

4G046CA00 ,  4G046CB09 ,  4G046CC02 ,  4G046CC06

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 炭素ナノチューブの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-120448   出願人：張震, 株式会社日進ナノテック
• ダイヤモンド様炭素(DLC)膜の製法、それにより製造したDLC膜、その使用法、電界エミッタアレイ及び電界エミッタカソード
  公報種別：公表公報   出願番号：特願平9-517237   出願人：オリオンエレクトリックカンパニー,リミテッド

審査官引用 (2件)

• 炭素ナノチューブの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-120448   出願人：張震, 株式会社日進ナノテック
• ダイヤモンド様炭素(DLC)膜の製法、それにより製造したDLC膜、その使用法、電界エミッタアレイ及び電界エミッタカソード
  公報種別：公表公報   出願番号：特願平9-517237   出願人：オリオンエレクトリックカンパニー,リミテッド

引用文献：

出願人引用 (1件)

• Field emission from carbon nanotubes grown by layer-by-layer deposition method using plasma chemical

審査官引用 (1件)

• Field emission from carbon nanotubes grown by layer-by-layer deposition method using plasma chemical