特許

J-GLOBAL ID：200903039860729120

GaN系化合物半導体装置

発明者： 吉田 清輝
出願人/特許権者： 古河電気工業株式会社
代理人 (1件)： 長門 侃二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-234548
公開番号（公開出願番号）：特開2000-068497
出願日： 1998年08月20日
公開日（公表日）： 2000年03月03日
要約：

【要約】【課題】 電子移動度の高いGaN系化合物半導体装置を提供する。【解決手段】 GaN系化合物半導体から成り2次元電子ガス層が形成される活性層2と、活性層2の上層にn型不純物を拡散したGaNまたはAlGaNにAsおよび/またはPが1×1018〜1×1020cm-3の濃度でドープされて成る電子供給層1を有することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

GaN系化合物半導体から成り2次元電子ガス層が形成される活性層と、前記活性層の上層にn型不純物を拡散したGaNまたはAlGaNにAsおよび/またはPが1×1018〜1×1020cm-3の濃度でドープされて成る電子供給層を有することを特徴とするGaN系化合物半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/203 ,  H01L 29/205

FI (3件)：

H01L 29/80 H ,  H01L 21/203 M ,  H01L 29/205

Fターム (26件)：

5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GT01 ,  5F102HC01 ,  5F102HC11 ,  5F102HC15 ,  5F103AA04 ,  5F103AA05 ,  5F103BB05 ,  5F103BB08 ,  5F103DD01 ,  5F103GG01 ,  5F103HH03 ,  5F103KK01 ,  5F103LL08 ,  5F103LL09 ,  5F103NN01 ,  5F103NN04 ,  5F103RR05

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 高電子移動度トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-343405   出願人：古河電気工業株式会社
• 化合物半導体の成長方法、化合物半導体発光素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-045809   出願人：シャープ株式会社