半導体発光素子、発光素子モジュールおよび半導体発光素子の製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：長谷川芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-158464
公開番号（公開出願番号）：特開平10-012959
出願日： 1996年06月19日
公開日（公表日）： 1998年01月16日
要約：

【要約】【課題】製造が容易でありながら、安定した出力特性が得られる半導体発光素子、発光素子モジュールおよび半導体発光素子の製造方法を提供すること。【解決手段】電流注入により光を発生する活性層11とその活性層11を挟んで形成される高反射率の光反射面12および低反射率の光射出面13とを備えて構成され、光射出面13から隔てて配置される光ファイバ2の回折格子21と光反射面12とにより共振器を形成してその光ファイバ2を通じレーザ光を出力するための半導体発光素子1において、光射出面13が活性層11の延びる方向に対し直交しない向きに形成され、かつ、その光射出面13と光反射面12とが平行でない向きに設けられている。このため、光射出面13と光反射面12間における不要な光の共振が防止される。

請求項（抜粋）：

電流注入により光の発生および増幅を行う活性層と、その活性層を挟んで形成される高反射率の光反射面および低反射率の光射出面とを備えて構成され、前記光射出面から隔てて配置される光ファイバの回折格子と前記光反射面とにより共振器を形成してレーザ光の出力を行う半導体発光素子において、前記光射出面が前記活性層の延びる方向に対し直交しない向きに形成され、かつ、その光射出面と前記光反射面とが平行でないことを特徴とする半導体発光素子。

引用特許：

審査官引用 (4件)

レーザ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-024962 出願人：アメリカンテレフォンアンドテレグラフカムパニー
半導体光増幅器
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-337132 出願人：株式会社東芝
半導体光部品
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-150963 出願人：日立電線株式会社

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