半導体光検出器

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：菅野中
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-097533
公開番号（公開出願番号）：特開平10-290023
出願日： 1997年04月15日
公開日（公表日）： 1998年10月27日
要約：

【要約】【課題】シリコン層に光吸収層としてゲルマニウム単結晶層を有する長波長帯用光検出器の量子効率、周波数特性向上を図る。【解決手段】 N型シリコン層3中に側壁をシリコン酸化膜6で覆われた溝4を形成し、溝4内にN型ゲルマニウム層7とゲルマニウム単結晶層8とP型ゲルマニウム層9とP型シリコン層10とを形成し、ゲルマニウム単結晶層8を光吸収層として用いている。N型、P型ゲルマニウム層7、9が存在するため、空乏層はSi/Ge界面11、12に達せず、Si/Ge界面11、12での再結合中心を介した光電流の再結合による量子効率の低減が無い。

請求項（抜粋）：

プレーナ構造を有する半導体光検出器であって、プレーナ構造は、光吸収層を溝内に形成したPN接合のフォトダイオード構造のものであり、溝は、第1導電型のシリコン層中に側壁をシリコン酸化膜で覆われて形成された凹陥部であり、光吸収層は、上下面を被覆されて溝内に埋設されており、光吸収層の上下面を被覆している層は、フォトダイオードの動作電圧印加時の空乏層が半導体基板との界面に達するのを阻止するものであることを特徴とする半導体光検出器。

引用特許：

審査官引用 (3件)

半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-007339 出願人：日本電気株式会社
受光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-151488 出願人：ソニー株式会社
特表昭61-500466

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