特許
J-GLOBAL ID：200903093624053528

液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板およびその製造方法

発明者：
平田 和美

平田 和美 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 渡辺 勝 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-335834
公開番号（公開出願番号）：特開2000-164875
出願日： 1998年11月26日
公開日（公表日）： 2000年06月16日
要約：
【要約】【課題】 TFTチャネル部への光入射をほぼ完全に防止し得るTFT基板構造を提供する。【解決手段】 透明絶縁性基板1上に形成された下部遮光膜3と、該下部遮光膜上方に形成される薄膜トランジスタ(TFT)12と、該薄膜トランジスタ上方に形成される上部遮光膜14とを有する液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板において、TFT12のチャネル部側面方向に少なくとも前記下部遮光膜3及び上部遮光膜14のいずれか一方が延在するように、例えば、基板1に凹部2を設け、該凹部2内壁面全面に下部遮光膜3を形成し、TFTのチャネル部が下部遮光膜上に形成される凹部内に埋設するよう形成する。
請求項（抜粋）：
透明絶縁性基板上に形成された下部遮光膜と、該下部遮光膜上方に形成される薄膜トランジスタと、該薄膜トランジスタ上方に形成される上部遮光膜とを有する液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板において、前記薄膜トランジスタのチャネル部側面方向に少なくとも前記下部遮光膜及び上部遮光膜のいずれか一方が延在していることを特徴とする液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板。
IPC (4件)：
H01L 29/786 ,  G02B 5/00 ,  G02F 1/1335 ,  G02F 1/136 500
FI (5件)：
H01L 29/78 619 B ,  G02B 5/00 B ,  G02F 1/1335 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 29/78 612 C
Fターム (61件)：
2H042AA09 ,  2H042AA15 ,  2H042AA26 ,  2H091FA34Y ,  2H091FB02 ,  2H091FB06 ,  2H091FB12 ,  2H091FB13 ,  2H091FD01 ,  2H091FD04 ,  2H091FD06 ,  2H091GA02 ,  2H091GA07 ,  2H091GA11 ,  2H091GA13 ,  2H091LA03 ,  2H091MA07 ,  2H092JB52 ,  2H092JB53 ,  2H092JB54 ,  2H092KA04 ,  2H092KA05 ,  2H092KB25 ,  2H092MA05 ,  2H092MA07 ,  2H092MA16 ,  2H092MA17 ,  2H092MA28 ,  2H092NA01 ,  2H092PA01 ,  2H092PA06 ,  2H092PA09 ,  5F110AA18 ,  5F110AA30 ,  5F110CC02 ,  5F110DD21 ,  5F110EE04 ,  5F110EE05 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110FF02 ,  5F110FF29 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG15 ,  5F110GG32 ,  5F110GG47 ,  5F110GG52 ,  5F110GG58 ,  5F110HL03 ,  5F110NN03 ,  5F110NN24 ,  5F110NN35 ,  5F110NN42 ,  5F110NN44 ,  5F110NN45 ,  5F110NN47 ,  5F110NN54 ,  5F110QQ01 ,  5F110QQ12 ,  5F110QQ19
引用特許：
審査官引用 (5件)
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