特許
J-GLOBAL ID：200903039948417471
窒化物半導体レーザ及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤村 元彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-180344
公開番号（公開出願番号）：特開2000-244068
出願日： 1999年06月25日
公開日（公表日）： 2000年09月08日
要約：
【要約】【課題】 レーザ構造において高品質な反射鏡面を再現性良く得られる3族窒化物半導体レーザ製造方法を提供する。【解決手段】 3族窒化物半導体(AlxGa1-x)1-yInyN(0≦x≦1,0≦y≦1)からなる結晶層の複数を、劈開性又は裂開性の基板上に、順に積層してなる窒化物半導体レーザの製造方法において、劈開性又は裂開性の基板上に結晶層の複数を形成する結晶層形成工程と、基板及び結晶層間の界面に向け、基板側から光ビームを照射して、窒化物半導体の分解物領域を形成する工程と、分解物領域を交差する直線に沿って基板を劈開又は裂開し、積層した結晶層の共振用劈開面を形成する工程と、を含む。
請求項（抜粋）：
3族窒化物半導体(AlxGa1-x)1-yInyN(0≦x≦1,0≦y≦1)からなる結晶層の複数を、劈開性又は裂開性の基板上に、順に積層してなる窒化物半導体レーザであって、積層した結晶層の共振用劈開面と交差する部分の前記基板及び結晶層間の界面において、前記窒化物半導体の分解物領域を有することを特徴とする窒化物半導体レーザ。
Fターム (9件)：
5F073AA51
, 5F073AA55
, 5F073CA07
, 5F073CA17
, 5F073CB05
, 5F073CB07
, 5F073DA05
, 5F073DA32
, 5F073DA35
