特許
J-GLOBAL ID：200903003859473436

窒化物系半導体レーザ装置及びその製造方法

発明者：
小野村 正明

小野村 正明 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 外川 英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-029494
公開番号（公開出願番号）：特開2000-228565
出願日： 1999年02月08日
公開日（公表日）： 2000年08月15日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】プロセスが容易で再現性にも優れ、ビーム特性に優れ、高出力低電流動作が可能な窒化物系半導体レーザ装置を提供する。【解決手段】基板上に形成された開口部からラテラルに成長形成された複数の窒化物系半導体層(Gax Iny Alz B 1-x-y-z N :0≦x、y、z、x+y+z≦1)からなり、前記窒化物系半導体層からなるコンタクト層18と、このコンタクト層18上に形成された前記窒化物系半導体層からなる活性層14と、活性層14を挟むように形成された導電型の異なる前記窒化物系半導体層からなるクラッド層13,15とを具備し、活性層14およびクラッド層13,15は、複数の窒化物系半導体層中の、開口部上から横方向に、コンタクト層の膜厚以上離れて形成されていることを特徴とする窒化物系半導体レーザ装置。
請求項（抜粋）：
基板上に形成された開口部からラテラルに成長形成された複数の窒化物系半導体層(Gax Iny Alz B 1-x-y-z N :0≦x、y、z、x+y+z≦1)からなり、窒化物系半導体層(Gax Iny Alz B 1-x-y-z N :0≦x、y、z、x+y+z≦1)からなるコンタクト層と、このコンタクト層上に形成された窒化物系半導体層(Gax Iny Alz B 1-x-y-z N :0≦x、y、z、x+y+z≦1)からなる活性層と、前記活性層を挟むように形成された導電型の異なる窒化物系半導体層(Gax Iny Alz B 1-x-y-z N :0≦x、y、z、x+y+z≦1)からなるクラッド層とを具備し、前記活性層および前記クラッド層は、前記複数の窒化物系半導体層中の、前記開口部上から横方向に、前記コンタクト層の膜厚以上離れて形成されていることを特徴とする窒化物系半導体レーザ装置。
IPC (4件)：
H01S 5/323 ,  H01S 5/026 ,  H01S 5/223 ,  H01S 5/34
FI (4件)：
H01S 3/18 673 ,  H01S 3/18 616 ,  H01S 3/18 664 ,  H01S 3/18 676
Fターム (15件)：
5F073AA22 ,  5F073AA83 ,  5F073AA89 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073CB19 ,  5F073CB20 ,  5F073CB22 ,  5F073CB23 ,  5F073DA05 ,  5F073EA23 ,  5F073FA05 ,  5F073FA13 ,  5F073FA15 ,  5F073FA22
引用特許：
審査官引用 (7件)
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