薄膜キャパシタ及び半導体記憶装置

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-082091
公開番号（公開出願番号）：特開平8-139292
出願日： 1995年03月15日
公開日（公表日）： 1996年05月31日
要約：

【要約】【目的】誘電体膜が強誘電性を示す温度範囲が広く、残留分極の値が実用的に十分に大きな薄膜キャパシタを提供すること。【構成】表面が正方晶系の(001)面の結晶構造を有する導電性材料からなる導電性基板5と、この導電性基板5の上に形成されたペロブスカイト型結晶構造を有する(Ba0.85Sr0.15)TiO3 (正方晶系)からなる誘電体膜3と、この誘電体膜3の上に形成された上部電極4とを具備した薄膜キャパシタにおいて、誘電性材料本来のキュリー温度が150°C以下で、ペロブスカイト型結晶構造のa軸長で表される誘電性材料本来の格子定数ad と正方晶系の結晶構造のa軸長で表される導電性材料本来の格子定数as とが、1.002≦ad /as ≦1.015の関係式を満足することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

少なくとも表面が正方晶系の(001)面及び立方晶系のいずれかに属する結晶構造を有する導電性材料からなる導電性基板と、この導電性基板の上にエピタキシャル成長した正方晶系及び立方晶系のいずれかに属するペロブスカイト型結晶構造を有する誘電性材料からなる誘電体膜と、この誘電体膜の上に形成された上部電極とを具備した薄膜キャパシタにおいて、前記誘電性材料本来のキュリー温度が150°C以下で、ペロブスカイト型結晶構造のa軸長で表される誘電性材料本来の格子定数ad と正方晶系及び立方晶系のいずれかの結晶構造のa軸長で表される導電性材料本来の格子定数as とが下記関係式を満足することを特徴とする薄膜キャパシタ。1.002≦ad /as ≦1.015

IPC (4件)：

H01L 27/108 , H01L 21/8242 , H01L 27/04 , H01L 21/822

FI (3件)：

H01L 27/10 651 , H01L 27/04 C , H01L 27/10 621 Z

引用特許：

審査官引用 (4件)

半導体メモリの記憶用キヤパシタおよびその製法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-178614 出願人：三菱電機株式会社
特開平2-275685
特開昭63-226955

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