基板処理装置制御システムおよび基板処理装置

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：吉田茂明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-294185
公開番号（公開出願番号）：特開2003-100610
出願日： 2001年09月26日
公開日（公表日）： 2003年04月04日
要約：

【要約】【課題】基板処理装置において、ベアウエハに対する膜厚測定結果から効率的に処理部に対してフィードバック制御を行うことを課題とする。【解決手段】基板処理装置1は検査ユニット11および塗布処理ユニットSCを備える。塗布処理ユニットSCにおいてレジスト塗布されたベアウエハはプリベーク処理後、検査ユニット11において膜厚測定が行われる。測定結果は、コントローラ10の膜厚判定部102に送信され、膜厚の要求条件との判定が行われる。要求条件を満たしていない場合には、条件変更指示部103が、塗布処理ユニットSCや熱処理ユニットの処理条件を変更する。また、処理条件を変更する前にオペレータに確認をとるモードや、処理条件の内容をオペレータが入力するモードがある。

請求項（抜粋）：

基板に所定の処理を行う処理部を備えた基板処理装置を制御するシステムであって、前記基板処理装置は、さらに、基板に塗布されたレジスト膜厚を測定する検査部、を備え、前記処理部は、基板に対してレジストの塗布を行うレジスト塗布処理部を含み、前記システムは、a)レジストが塗布されたベアウエハを前記検査部に搬送するとともに、膜厚測定を行うよう制御する手段と、b)前記検査部から測定結果を入力し、膜厚の要求条件を満たしているかを判定する判定手段と、c)前記判定手段によって膜厚の要求条件を満たしていないと判定された場合には、前記処理部の処理条件を変更する条件変更手段と、を備えることを特徴とする基板処理装置制御システム。

IPC (4件)：

H01L 21/027 , B05C 11/00 , B05D 3/00 , G03F 7/16 502

FI (4件)：

B05C 11/00 , B05D 3/00 D , G03F 7/16 502 , H01L 21/30 564 C

Fターム (35件)：

2H025AA00 , 2H025AA18 , 2H025AB14 , 2H025AB16 , 2H025AB17 , 2H025EA05 , 2H025EA10 , 4D075AC64 , 4D075AC92 , 4D075AC94 , 4D075AC96 , 4D075BB24Z , 4D075BB93Z , 4D075CA48 , 4D075DA06 , 4D075DA08 , 4D075DB13 , 4D075DB31 , 4D075DC22 , 4D075DC24 , 4D075EA07 , 4D075EA45 , 4F042AA02 , 4F042AA07 , 4F042AA08 , 4F042AA10 , 4F042BA05 , 4F042BA19 , 4F042BA25 , 4F042DF25 , 4F042DH09 , 4F042EB29 , 5F046JA01 , 5F046JA21 , 5F046JA27

引用特許：

審査官引用 (3件)

塗布膜形成方法及びその装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-262391 出願人：東京エレクトロン株式会社
レジスト処理方法及びレジスト処理システム
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-069255 出願人：東京エレクトロン株式会社
レジスト塗布装置及びレジスト塗布方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-162547 出願人：セイコーエプソン株式会社

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