半導体集積回路

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：前田弘 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-063337
公開番号（公開出願番号）：特開平7-273292
出願日： 1994年03月31日
公開日（公表日）： 1995年10月20日
要約：

【要約】【目的】大きなインダクタンス値で且つ小さな直列抵抗値を持つインダクタを半導体基板上の小面積部分に形成する。【構成】半導体基板1上方に金属配線4を形成する。金属配線4の下方、左側方、右側方および上方に、鉄を含む酸化物膜3、5が直接に接して配置される。従って、金属配線4に電流を流した場合の誘導起電力が大きくなるので、酸化物膜3、5がない場合に比べて、インダクタンス値を大きくできる。しかも、金属配線4の全長を短く制限できるので、金属配線4の抵抗値を小さくできると共に、半導体基板1上の小面積部分に形成できる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上の少なくとも一部に形成される絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成される金属配線と、前記金属配線の上方、下方、左側方、右側方の少くとも一方又はその全てに形成される鉄を含む酸化物膜とから成り、前記金属配線は折線又は曲線の形状に形成されていて前記鉄を含む酸化物膜とは直接接していることを特徴とする半導体集積回路。

IPC (3件)：

H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01F 17/00

引用特許：

審査官引用 (8件)

特開平2-003959
特開平3-019358
特開平4-113665

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