特許
J-GLOBAL ID：200903040011089108

基板処理装置

発明者：
篠原 久人

篠原 久人 について

, 
楠本 直人

楠本 直人 について

, 
米澤 雅人

米澤 雅人 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について

, 
ティーディーケイ株式会社

ティーディーケイ株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-079552
公開番号（公開出願番号）：特開2001-267256
出願日： 2000年03月22日
公開日（公表日）： 2001年09月28日
要約：
【要約】【課題】 基板を連続して処理する複数の基板処理室を備えた基板処理装置において、基板処理室間の雰囲気分離を行い、クロスコンタミネーションを防止し、原料ガスと異なるガス種が基板処理室内に混入することによる半導体膜の膜質悪化及び基板処理能力の悪化を防止する。【解決手段】 基板処理室301、303と、基板処理室とは独立した排気系306bを持つ緩衝室302を設けた基板処理装置において、基板処理室と緩衝室の間は、接続管304a、304bを設け、接続管にガス導入口を設けたことを特徴とした基板処理装置を提供する。基板処理用ガス308は接続管から基板処理室301及び緩衝室302へと流入し、基板処理用ガス309は接続管から基板処理室303及び緩衝室302へと流入するため、基板処理室から緩衝室へのガスの移動はガス流に逆らって発生することはなく雰囲気分離が可能となる。
請求項（抜粋）：
少なくとも一つの処理室と、前記処理室とは独立した排気系を持つ、少なくとも一つの緩衝室を設けた基板処理装置において、前記処理室と前記緩衝室の間は、接続管を設け、前記接続管にガス導入口を設けたことを特徴とする基板処理装置。
IPC (5件)：
H01L 21/205 ,  C23C 14/34 ,  C23C 16/455 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/68
FI (5件)：
H01L 21/205 ,  C23C 14/34 M ,  C23C 16/455 ,  H01L 21/68 A ,  H01L 21/302 C
Fターム (75件)：
4K029BA03 ,  4K029BA50 ,  4K029BB02 ,  4K029BB10 ,  4K029BC09 ,  4K029BD01 ,  4K029CA05 ,  4K029DA01 ,  4K029DA02 ,  4K029DA06 ,  4K029DA09 ,  4K029JA10 ,  4K029KA01 ,  4K030AA06 ,  4K030AA17 ,  4K030BA30 ,  4K030CA06 ,  4K030CA07 ,  4K030CA17 ,  4K030DA04 ,  4K030EA06 ,  4K030EA11 ,  4K030EA12 ,  4K030FA01 ,  4K030FA03 ,  4K030GA04 ,  4K030GA14 ,  4K030KA08 ,  4K030KA45 ,  4K030LA16 ,  5F004AA14 ,  5F004BA04 ,  5F004BC05 ,  5F004BC06 ,  5F004BD04 ,  5F004CA01 ,  5F004DA01 ,  5F004DA26 ,  5F031CA05 ,  5F031CA09 ,  5F031DA01 ,  5F031FA02 ,  5F031GA53 ,  5F031GA60 ,  5F031MA03 ,  5F031MA07 ,  5F031MA28 ,  5F031MA29 ,  5F031MA32 ,  5F031NA01 ,  5F031NA04 ,  5F031NA08 ,  5F031NA17 ,  5F031NA20 ,  5F045AA08 ,  5F045AA19 ,  5F045AB03 ,  5F045AB04 ,  5F045AC01 ,  5F045AE21 ,  5F045AF07 ,  5F045BB08 ,  5F045BB14 ,  5F045CA13 ,  5F045DA52 ,  5F045DP22 ,  5F045DQ15 ,  5F045EB08 ,  5F045EC07 ,  5F045EE17 ,  5F045EE20 ,  5F045EH13 ,  5F045GB06 ,  5F045HA13 ,  5F045HA25
引用特許：
出願人引用 (4件)
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