特許
J-GLOBAL ID：200903040017845435

成膜方法および成膜装置

発明者：
長谷部 一秀

長谷部 一秀 について

, 
石田 義弘

石田 義弘 について

, 
藤田 武彦

藤田 武彦 について

, 
小川 淳

小川 淳 について

, 
中島 滋

中島 滋 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (1件)： 高山 宏志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-218026
公開番号（公開出願番号）：特開2008-109093
出願日： 2007年08月24日
公開日（公表日）： 2008年05月08日
要約：
【課題】300°C以下特に100°C以下といった低温においても、膜質が良好なSiO2膜を高速でかつ均一に製造することがきる成膜方法および成膜装置を提供すること。【解決手段】真空保持可能な処理容器内に被処理体を装入し、Siソースとして1分子内に2個のアミノ基を有するアミノシランガスを用い、酸化剤として酸素ラジカルを用い、Siソースを処理容器内へ供給する工程S1と、前記酸素ラジカルを処理容器内へ供給する工程S2を交互に実施する。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
真空保持可能な処理容器内に被処理体を装入し、Siソースとして1分子内に2個のアミノ基を有するアミノシランガスを用い、酸化剤として酸素ラジカルを用い、これらを交互的に前記処理容器内に供給し、被処理体の表面にSiO2膜を形成することを特徴とする成膜方法。
IPC (4件)：
H01L 21/316 ,  C23C 16/42 ,  C23C 16/505 ,  H01L 21/31
FI (4件)：
H01L21/316 X ,  C23C16/42 ,  C23C16/505 ,  H01L21/31 C
Fターム (31件)：
4K030AA06 ,  4K030AA14 ,  4K030BA44 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030FA10 ,  4K030GA06 ,  4K030HA01 ,  4K030JA10 ,  4K030KA04 ,  4K030KA30 ,  4K030LA15 ,  5F045AA08 ,  5F045AB32 ,  5F045AC07 ,  5F045AC11 ,  5F045AD05 ,  5F045AD06 ,  5F045BB07 ,  5F045DP19 ,  5F045DP28 ,  5F045EE14 ,  5F045EE19 ,  5F045EF03 ,  5F045EH18 ,  5F045EK06 ,  5F058BC02 ,  5F058BF07 ,  5F058BF27 ,  5F058BF29 ,  5F058BF37
引用特許：
出願人引用 (7件)
全件表示
審査官引用 (7件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM