特許

J-GLOBAL ID：200903060625972971

成膜方法、成膜装置及び記憶媒体

発明者： 長谷部 一秀
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 浅井 章弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-181282
公開番号（公開出願番号）：特開2006-054432
出願日： 2005年06月21日
公開日（公表日）： 2006年02月23日
要約：

【課題】 金属表面の酸化を抑制しつつシリコン酸化膜を堆積させることが可能な成膜方法を提供する。【解決手段】 真空引き可能になされた処理容器22内で金属の表面が露出している被処理体Wにシリコン酸化膜を形成する成膜方法において、前記処理容器22内へSi含有ガスを供給するSi含有ガス供給工程と、前記処理容器22内へ酸化性ガスと還元性ガスとを同時に供給する酸化還元ガス供給工程とを、間欠的に交互に繰り返し行うようにする。これにより、金属表面の酸化を抑制しつつシリコン酸化膜を堆積させることが可能となる。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

真空引き可能になされた処理容器内で金属の表面が露出している被処理体にシリコン酸化膜を形成する成膜方法において、 前記処理容器内へSi含有ガスを供給するSi含有ガス供給工程と、 前記処理容器内へ酸化性ガスと還元性ガスとを同時に供給する酸化還元ガス供給工程とを、間欠的に交互に繰り返し行うようにしたことを特徴とする成膜方法。

IPC (6件)：

H01L 21/316 ,  C23C 16/40 ,  C23C 16/455 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/768 ,  H01L 23/522

FI (5件)：

H01L21/316 X ,  C23C16/40 ,  C23C16/455 ,  H01L21/31 B ,  H01L21/90 K

Fターム (48件)：

4K030AA06 ,  4K030AA13 ,  4K030AA14 ,  4K030AA17 ,  4K030BA44 ,  4K030EA03 ,  4K030EA11 ,  5F033HH04 ,  5F033HH19 ,  5F033HH34 ,  5F033LL04 ,  5F033MM08 ,  5F033RR04 ,  5F033SS01 ,  5F033SS02 ,  5F033SS03 ,  5F033SS13 ,  5F033TT08 ,  5F033VV06 ,  5F033VV16 ,  5F033WW05 ,  5F033XX00 ,  5F045AA04 ,  5F045AA06 ,  5F045AA15 ,  5F045AB32 ,  5F045AC01 ,  5F045AC02 ,  5F045AC03 ,  5F045AC05 ,  5F045AC07 ,  5F045AC08 ,  5F045AC11 ,  5F045AC12 ,  5F045DP19 ,  5F045DQ05 ,  5F045EK06 ,  5F058BA20 ,  5F058BC02 ,  5F058BD04 ,  5F058BF04 ,  5F058BF06 ,  5F058BF23 ,  5F058BF24 ,  5F058BF27 ,  5F058BF29 ,  5F058BF37 ,  5F058BJ02

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 半導体製造装置およびガス排出方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-051468   出願人：株式会社日立製作所, 日立北海セミコンダクタ株式会社
• 縦型熱処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-184310   出願人：東京エレクトロン株式会社

審査官引用 (4件)

• 半導体装置の製造方法及び化学気相成長装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-024073   出願人：株式会社東芝
• 特開平4-011730
  
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-178053   出願人：株式会社東芝
• 特開平4-011730