特許
J-GLOBAL ID：200903040033004297

多数の抵抗性強誘電体メモリセルから成るメモリ装置

発明者：
オスカー コヴァリク

オスカー コヴァリク について

, 
クルト ホフマン

クルト ホフマン について


出願人/特許権者：
インフィネオン テクノロジース アクチエンゲゼルシャフト

インフィネオン テクノロジース アクチエンゲゼルシャフト について


代理人 (1件)： 矢野 敏雄 (外4名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-561620
公開番号（公開出願番号）：特表2002-521780
出願日： 1999年03月25日
公開日（公表日）： 2002年07月16日
要約：
【要約】本発明は、それぞれ選択トランジスタ(T)及びメモリコンデンサ(Cferro)からなる多数の抵抗性強誘電体メモリセルから成るメモリ装置であって、このメモリコンデンサ(Cferro)の1つの電極(PL)は一定のセルプレート電圧におかれ、メモリコンデンサ(Cferro)の別の電極(SN)は第1の伝導タイプを有する選択トランジスタ(T)の第1のゾーン(1)に接続されており、選択トランジスタ(T)及びメモリコンデンサ(Cferro)は、第1の伝導タイプとは正反対の第2の伝導タイプの半導体基板の中に乃至はこの半導体基板の上に設けられている、多数の抵抗性強誘電体メモリセルから成るメモリ装置に関する。このメモリ装置においては、メモリコンデンサ(Cferro)の別の電極(SN)は抵抗(R)を介してセルプレート電圧(VPLATTE)が印加される線路(5)に接続されている。
請求項（抜粋）：
それぞれ選択トランジスタ(T)及びメモリコンデンサ(Cferro)からなる多数の抵抗性強誘電体メモリセルから成るメモリ装置であって、 前記メモリコンデンサ(Cferro)の1つの電極(PL)は一定のセルプレート電圧におかれ、前記メモリコンデンサ(Cferro)の別の電極(SN)は第1の伝導タイプを有する前記選択トランジスタ(T)の第1のゾーン(1)に接続されており、前記選択トランジスタ(T)及び前記メモリコンデンサ(Cferro)は、前記第1の伝導タイプとは正反対の第2の伝導タイプの半導体基板の中に乃至は該半導体基板の上に設けられている、多数の抵抗性強誘電体メモリセルから成るメモリ装置において、 前記メモリコンデンサ(Cferro)の前記別の電極(SN)は抵抗(R)を介してセルプレート電圧(VPLATTE)が印加される線路(5)に接続されていることを特徴とする、多数の抵抗性強誘電体メモリセルから成るメモリ装置。
IPC (4件)：
G11C 11/22 501 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 27/105 ,  H01L 27/108
FI (3件)：
G11C 11/22 501 A ,  H01L 27/10 444 B ,  H01L 27/10 621 A
Fターム (4件)：
5F083AD53 ,  5F083AD54 ,  5F083AD69 ,  5F083FR02
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (1件)

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