特許
J-GLOBAL ID：200903040053249946

半導体装置およびその製造方法

発明者：
飯島 匡

飯島 匡 について

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小野 寿子

小野 寿子 について

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牛久 幸広

牛久 幸広 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-135398
公開番号（公開出願番号）：特開平6-326102
出願日： 1993年05月13日
公開日（公表日）： 1994年11月25日
要約：
【要約】【目的】Al配線に代わる実用的な低抵抗の金属配線を有する半導体装置の製造方法を提供すること。【構成】シリコン基板1上の溝を有するSiO2 膜2の全面にTiN膜3,Ti膜4,Ag膜5を順次形成する工程と、酸素を含むArガス雰囲気中の450〜750°Cの温度のアニールによって、Ag膜5中のAgの凝集を抑制するためのTiO2 膜6をAg膜5の表面に形成する工程とを備えている。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成された第1の金属膜と、この第1の金属膜上に形成された銀を主成分とする第2の金属膜と、この第2の金属膜の少なくとも上面を被覆し、前記第1の金属膜の金属元素を含む保護膜とを具備してなることを特徴とする半導体装置。
FI (3件)：
H01L 21/88 M ,  H01L 21/88 A ,  H01L 21/88 R
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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