特許

J-GLOBAL ID：200903040149836052

半導体基板上の無機残留物を洗浄するための、銅特異的な腐食防止剤を含有する水性洗浄組成物

発明者： ウォジェトクザック,ウィリアム,エー. ,  セイホ,ファティマ,マ. ,  ベルナード,デビッド ,  グエン,ロング
出願人/特許権者： アドバンスド.テクノロジー.マテリアルス.インコーポレイテッド
代理人 (3件)： 稲葉 良幸 ,  田中 克郎 ,  大賀 眞司
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-576566
公開番号（公開出願番号）：特表2005-502734
出願日： 2002年03月27日
公開日（公表日）： 2005年01月27日
要約：

フッ化物源を1〜21重量%と、有機アミンを20〜55重量%と、含窒素成分(例えば含窒素カルボン酸またはイミン)を0.5〜40重量%と、水を23〜50重量%と、金属キレート剤を0〜21重量%とを含む半導体ウエハ洗浄配合物。この配合物は、緻密な銅配線構造を含む半導体ウエハからの無機残留物等、レジストプラズマアッシング工程後のウエハから残留物を除去するのに有用である。

請求項（抜粋）：

以下の成分を、前記成分の総重量を基準とする以下に示す重量百分率の範囲で含む半導体ウエハ洗浄配合物。 フッ化物源 1〜21% 有機アミン 20〜55% 含窒素カルボン酸およびイミンから選択される含窒素成分 0.5〜40% 水 23〜50% 金属キレート剤 0〜21% 計 100%

IPC (6件)：

C11D7/10 ,  C11D7/32 ,  C11D7/60 ,  H01L21/027 ,  H01L21/304 ,  H01L21/3065

FI (7件)：

C11D7/10 ,  C11D7/32 ,  C11D7/60 ,  H01L21/304 647A ,  H01L21/302 104H ,  H01L21/30 572B ,  H01L21/30 572A

Fターム (19件)：

4H003DA15 ,  4H003EA05 ,  4H003EB09 ,  4H003EB12 ,  4H003EB13 ,  4H003EB14 ,  4H003EB15 ,  4H003EB17 ,  4H003EB19 ,  4H003EB21 ,  4H003ED31 ,  4H003FA07 ,  5F004AA09 ,  5F004DA26 ,  5F004DB26 ,  5F004EA10 ,  5F004EB02 ,  5F046MA02 ,  5F046MA12

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 剥離剤組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-223002   出願人：花王株式会社
• 水性フッ化アンモニウムおよびアミンを用いた、半導体ウエハ洗浄組成物および方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願平10-531118   出願人：アドバンスドケミカルシステムズインターナショナル,インコーポレイテッド