特許
J-GLOBAL ID:200903040156811197

振動式赤外線センサとその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 渡辺 正康
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-089359
公開番号(公開出願番号):特開平10-281862
出願日: 1997年04月08日
公開日(公表日): 1998年10月23日
要約:
【要約】【課題】 高感度、高精度で、安価な振動式赤外線センサとその製造方法を提供するにある。【解決手段】 両端が基板に固定された振動ゲートの共振周波数を測定する事により該振動ゲートに加えられた赤外線に基づく歪を測定する振動式赤外線センサにおいて、第1の伝導形式を有する半導体の基板と基板の表面に形成され伝導形式とは逆の第2の伝導形式を有するドレインとソースにより挟まれたチャネルと基板の表面上に形成されたゲート酸化膜とゲート酸化膜の上を覆い弗化水素酸に対して耐性の強い絶縁膜とポリシリコンよりなり変位可能なように絶縁膜の表面から間隙を保持して両端が基板に固定されドレインとソースとチャネルとを覆って配置され自励発振によりドレインとの間に生じる静電力により変位する板状の導電性の振動ゲートと振動ゲートを覆い内部が真空に保持されたシエルとシエルの外表面に設けられた赤外線の集光レンズとを具備する検出ユニットを具備したことを特徴とする振動式赤外線センサである。
請求項(抜粋):
両端が基板に固定された振動ゲートの共振周波数を測定する事により該振動ゲートに加えられた赤外線に基づく歪を測定する振動式赤外線センサにおいて、第1の伝導形式を有する半導体の基板と該基板の表面に形成され前記伝導形式とは逆の第2の伝導形式を有するドレインとソースにより挟まれたチャネルと前記基板の表面上に形成されたゲート酸化膜と該ゲート酸化膜の上を覆い弗化水素酸に対して耐性の強い絶縁膜とポリシリコンよりなり変位可能なように該絶縁膜の表面から間隙を保持して両端が前記基板に固定され前記ドレインとソースとチャネルとを覆って配置され自励発振により該ドレインとの間に生じる静電力により変位する板状の導電性の振動ゲートと該振動ゲートを覆い内部が真空に保持されたシエルと該シエルの外表面に設けられた赤外線の集光レンズとを具備する検出ユニットを具備したことを特徴とする振動式赤外線センサ。
IPC (4件):
G01J 1/02 ,  G01J 5/44 ,  H01L 29/84 ,  H01L 31/00
FI (5件):
G01J 1/02 B ,  G01J 1/02 C ,  G01J 5/44 ,  H01L 29/84 C ,  H01L 31/00
引用特許:
審査官引用 (2件)

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