特許
J-GLOBAL ID：200903040164648556
プラズマ処理方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-334955
公開番号（公開出願番号）：特開平7-201816
出願日： 1993年12月28日
公開日（公表日）： 1995年08月04日
要約：
【要約】【目的】下地膜またはレジスト膜に対して高い選択比でエッチング処理する。またはエッチング速度,選択比のプロセスウィンドウを拡大する。【構成】減圧化で生成したプラズマを用いて被処理基板13をエッチング処理する際に、エッチング中に被処理材および生成されたプラズマの特性に応じて試料台12に印加する高周波電源14からのバイアス電圧の周波数と、添加ガスを調整する。【効果】下地膜,レジストに対して容易に高い選択比を得ることができ、また、プロセスウィンドウを拡げることができる。
請求項（抜粋）：
ウエハが設けられた処理室へガスを導入し、導入されたガスをプラズマ化し、プラズマ化により生じたイオンに対しRF電源によりウエハ入射エネルギーを与えてエッチング処理する際に、上記導入するガスを主ガスとこの主ガスを構成するすべての原子の原子番号より大きい番号を持つ原子,あるいはそれを含む分子からなる添加ガスとにより構成し、上記RF電源の周波数を調整することにより、異種材料の処理速度を制御することを特徴とするプラズマ処理方法。
FI (2件)：
H01L 21/302 B
, H01L 21/302 F
