特許
J-GLOBAL ID：200903040179025989

高電圧ダイオードおよびその製造方法

発明者：
バルテルメス,ライナー

バルテルメス,ライナー について

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プフィルシュ,フランク

プフィルシュ,フランク について

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マウダー,アントン

マウダー,アントン について

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シュミット,ゲルハルト

シュミット,ゲルハルト について


出願人/特許権者：
インフィネオン テクノロジーズ アクチエンゲゼルシャフト

インフィネオン テクノロジーズ アクチエンゲゼルシャフト について

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オイペク オイロペーシェ ゲゼルシャフト フューア ライストゥングスハルプライター エムベーハー

オイペク オイロペーシェ ゲゼルシャフト フューア ライストゥングスハルプライター エムベーハー について


代理人 (3件)： 原 謙三 ,  木島 隆一 ,  金子 一郎
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-529847
公開番号（公開出願番号）：特表2004-510333
出願日： 2001年08月24日
公開日（公表日）： 2004年04月02日
要約：
本発明は、高電圧ダイオードおよびその製造方法に関するものである。この高電圧ダイオードは、調節部(16)およびC:HまたはSiからなる縁不動態化(12)を備えたチッピングストッパを用いて、マスク工程を3回しか要しないものである。
請求項（抜粋）：
第1伝導型と反対の第2伝導型半導体基板(1)の第1主表面に備えられている第1伝導型ウェル型領域(8)と、 上記ウェル型領域(8)の上に備えられた金属接触部(13)と、 上記第1主表面と反対側に位置する半導体基板(1)の第2主表面に、金属接触部(13)と向かい合って位置する裏面金属被膜(15)と、 チャネルストッパ(14)を備えたエッジ終端部と、 上記金属接触部(13)とチャネルストッパ(14)との間の領域の第1主表面上に備えられており、第1主表面に位置するpn接合部を覆っている不動態化層(12)とを備えた高電圧ダイオードにおいて、 上記不動態化層(12)は、水素をドーピングされたアモルファス炭素、またはアモルファスシリコンからなり、半導体基板(1)におけるチャネルストッパ(14)の外側の領域では、チッピングストッパ(12a)として機能し、 第1主表面に位置するウェル型領域(8)には、少なくとも1つのエッジ(6)が、調整部として備えられていることを特徴とする高電圧ダイオード。
IPC (3件)：
H01L29/861 ,  H01L21/322 ,  H01L21/329
FI (4件)：
H01L29/91 D ,  H01L21/322 K ,  H01L29/91 B ,  H01L29/91 J
引用特許：
審査官引用 (19件)
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-198197   出願人：富士電機株式会社
  • 高耐圧半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-019251   出願人：インターナシヨナル・レクチフアイヤー・コーポレーシヨン
  • ダイオードとその製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-143624   出願人：富士電機株式会社
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