特許

J-GLOBAL ID：200903040182046318

半導体装置の製造方法

発明者： 戸板 真人
出願人/特許権者： 旭化成マイクロシステム株式会社
代理人 (1件)： 森 哲也 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-202809
公開番号（公開出願番号）：特開2002-025972
出願日： 2000年07月04日
公開日（公表日）： 2002年01月25日
要約：

【要約】【課題】 選択エピタキシャル成長法とは異なる方法で、選択的にエピタキシャル層を容易に形成し、且つ装置の維持管理に要する労力削減を図る。【解決手段】 シリコン基板1に素子分離領域2及びウェル層3を形成した後、素子分離領域2及びアクティブ領域4を含む領域にCVD法を用いて低不純物濃度のシリコン層6を堆積させる。このとき、シリコン基板1が露出しているアクティブ領域5にはエピタキシャルに単結晶シリコンが成長するが、素子分離領域2にはアモルファスシリコンが成長する。その後、フッ酸と硝酸とを含むエッチング液を用い、アクティブ領域5に形成された単結晶シリコン部分をほとんどエッチングすることなく素子分離領域2に形成されたアモルファスシリコンのみを選択的にエッチングして除去する。これにより、アクティブ領域5にのみエピタキシャル層が形成される。

請求項（抜粋）：

半導体基体上に形成された単結晶半導体層の表面が露出している第1の領域と前記単結晶半導体層の表面が露出していない第2の領域とに、非選択的なCVD法を用いて半導体層を堆積させる堆積工程と、当該堆積工程で堆積させた半導体層のうち前記第2の領域上に形成された半導体層のみを選択的にエッチングして除去する選択エッチング工程と、を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 21/306 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/205 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/786

FI (7件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/306 B ,  H01L 29/78 301 H ,  H01L 29/78 301 S ,  H01L 29/78 301 P ,  H01L 29/78 618 A

Fターム (86件)：

5F040DA06 ,  5F040DA18 ,  5F040DB01 ,  5F040DC01 ,  5F040EC01 ,  5F040EC07 ,  5F040EC13 ,  5F040ED01 ,  5F040ED03 ,  5F040ED04 ,  5F040EE05 ,  5F040EF02 ,  5F040EH02 ,  5F040EK01 ,  5F040EK05 ,  5F040FA03 ,  5F040FB02 ,  5F040FB04 ,  5F040FC06 ,  5F040FC07 ,  5F040FC09 ,  5F040FC19 ,  5F040FC22 ,  5F043AA11 ,  5F043BB04 ,  5F045AA06 ,  5F045AB02 ,  5F045AB03 ,  5F045AB04 ,  5F045AB32 ,  5F045AB33 ,  5F045AB34 ,  5F045AC01 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AE17 ,  5F045AE19 ,  5F045AF03 ,  5F045DB03 ,  5F045EB15 ,  5F045HA14 ,  5F045HA15 ,  5F045HA16 ,  5F052AA11 ,  5F052DA02 ,  5F052DB02 ,  5F052GA01 ,  5F052JA01 ,  5F110AA08 ,  5F110AA16 ,  5F110BB20 ,  5F110CC02 ,  5F110DD05 ,  5F110EE05 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110EE32 ,  5F110FF02 ,  5F110FF23 ,  5F110GG02 ,  5F110GG12 ,  5F110GG28 ,  5F110GG32 ,  5F110GG34 ,  5F110GG37 ,  5F110GG44 ,  5F110GG47 ,  5F110GG52 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110HK05 ,  5F110HK09 ,  5F110HK13 ,  5F110HK21 ,  5F110HK34 ,  5F110HK37 ,  5F110HK40 ,  5F110HM15 ,  5F110NN62 ,  5F110NN65 ,  5F110NN66 ,  5F110PP01 ,  5F110PP10

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-165385   出願人：シャープ株式会社
• 特開昭58-039027
  
• NチャネルMOSFETの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-266567   出願人：沖電気工業株式会社