特許
J-GLOBAL ID:200903040215527260
半導体素子の製造方法
発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-271458
公開番号(公開出願番号):特開2002-083785
出願日: 2000年09月07日
公開日(公表日): 2002年03月22日
要約:
【要約】【課題】 半導体ウェーハと補助基板との貼付材として複数の樹脂を使用するため樹脂形成工程が必要であり、剥離工程としてその樹脂を溶剤で溶解するため溶剤の廃液処理が必要であった。また、半導体ウェーハを個々の半導体素子に分離する方法としてエッチング法を用いるためフォトリソグラフィ工程が必要であり工程が長く複雑になり製造装置も高価なものが必要であった。【解決手段】 半導体ウェーハ1の表面1aと補助基板2とを両面UVテープ11を用いて貼り付け、半導体ウェーハ1の裏面1bを研削し、フルカットダイシング法で個々の半導体素子13に分離し、裏面1bに片面UVテープ14を貼り付け、両面UVテープ11の粘着層11bに紫外線照射し粘着力を低下させ、片面UVテープ14に貼り付いた状態の個々に分離された半導体素子13を粘着力が低下した両面UVテープ11から剥がすことで好適な半導体素子の製造ができる。
請求項(抜粋):
内部に素子を形成した半導体ウェーハを準備する工程と、基材フィルムの両面に粘着層を形成した第1の貼付材の一方の面に前記半導体ウェーハの表面を、他の面に補助基板をそれぞれ貼り付ける第1貼付工程と、第1の貼付材上で露呈した半導体ウェーハの裏面を研削する裏面研削工程と、裏面が研削された半導体ウェーハを個々の半導体素子に分離する分離工程と、基材フィルムの片面に粘着層を形成した第2の貼付材を第1の貼付材上で整列配置された半導体素子の裏面に貼り付ける第2貼付工程と、前記第1の貼付材の粘着層の粘着力を低下させる工程と、前記第2の貼付材に整列状態で貼り付けられた半導体素子を前記第1の貼付材から剥がす剥離工程とを有することを特徴とする半導体素子の製造方法。
IPC (2件):
H01L 21/301
, H01L 21/304 631
FI (2件):
H01L 21/304 631
, H01L 21/78 M
引用特許:
前のページに戻る