特許

J-GLOBAL ID：200903040237516211

高純度チタンの製造方法

発明者： 山口 俊一郎 ,  日野 順三 ,  秋元 文二
出願人/特許権者： 東邦チタニウム株式会社
代理人 (2件)： 赤塚 賢次 ,  福田 保夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-337547
公開番号（公開出願番号）：特開2004-169139
出願日： 2002年11月21日
公開日（公表日）： 2004年06月17日
要約：

【課題】スポンジチタン中の不純物を効率よく分離し、スパッタリングターゲットに適した高純度のチタンを製造する方法を提供すること。【解決手段】四塩化チタンを金属マグネシウムで還元して塊状スポンジチタンを生成させる塊状スポンジチタン生成工程と、該塊状スポンジチタンを解砕して平均粒径2〜50mmの顆粒状スポンジチタンに調整する解砕工程と、該顆粒状スポンジチタンを酸で処理する酸処理工程を有する高純度チタンの製造方法。【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

四塩化チタンを金属マグネシウムで還元して塊状スポンジチタンを生成させる塊状スポンジチタン生成工程と、該塊状スポンジチタンを解砕して平均粒径2〜50mmの顆粒状スポンジチタンに調整する解砕工程と、該顆粒状スポンジチタンを酸で処理する酸処理工程を有することを特徴とする高純度チタンの製造方法。

IPC (1件)：

C22B34/12

FI (1件)：

C22B34/12 103

Fターム (5件)：

4K001AA27 ,  4K001DA11 ,  4K001DB05 ,  4K001EA02 ,  4K001EA13

引用特許：

審査官引用 (4件)

• スパッタターゲットとその製造方法、およびそれを用いて成膜した高純度チタン膜
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-335268   出願人：株式会社東芝
• 高純度ルテニウム粉末およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-017253   出願人：三菱マテリアル株式会社
• 特公昭30-007853
  
• 特公昭30-007854