特許

J-GLOBAL ID：200903040247262544

電極構造およびその製造方法

発明者： 山口 勤 ,  西田 豊三 ,  野村 康彦 ,  畑 雅幸 ,  竹内 邦生 ,  岡本 重之 ,  庄野 昌幸
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 宮園 博一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-301333
公開番号（公開出願番号）：特開2004-140052
出願日： 2002年10月16日
公開日（公表日）： 2004年05月13日
要約：

【課題】約400°C〜約600°Cの熱処理を行うことなく、組立プロセスにおける約150°C〜約350°Cの熱に起因するコンタクト抵抗の上昇を抑制することが可能な電極構造の製造方法を提供する。【解決手段】この電極構造は、n型GaN基板1と、n型GaN基板1の裏面上に形成されたAl層10a、Al層10aの表面に接触するように形成されたPt層10bおよびPt層10bの表面上に形成されたAu層10cを含むn側オーミック電極10とを備えている。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

n型の窒化物系半導体層と、 前記n型の窒化物系半導体層の一方表面上に形成されたAlからなる第1電極層、前記第1電極層の表面に接触するように形成されたPtからなる第2電極層、および、前記第2電極層の表面上に形成されたAuからなる第3電極層を含む電極とを備えた、電極構造。

IPC (4件)：

H01S5/042 ,  H01L21/28 ,  H01L33/00 ,  H01S5/323

FI (5件)：

H01S5/042 612 ,  H01L21/28 301B ,  H01L33/00 C ,  H01L33/00 E ,  H01S5/323 610

Fターム (32件)：

4M104AA04 ,  4M104BB02 ,  4M104BB06 ,  4M104CC01 ,  4M104DD16 ,  4M104DD23 ,  4M104DD79 ,  4M104FF03 ,  4M104FF17 ,  4M104GG04 ,  4M104HH08 ,  4M104HH15 ,  4M104HH16 ,  4M104HH20 ,  5F041AA24 ,  5F041CA05 ,  5F041CA40 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041CA83 ,  5F041CA85 ,  5F041CA92 ,  5F041CA99 ,  5F041CB11 ,  5F073AA04 ,  5F073AA43 ,  5F073AA74 ,  5F073CA07 ,  5F073CB02 ,  5F073CB22 ,  5F073DA05 ,  5F073EA29

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 窒化物化合物半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-036263   出願人：株式会社東芝
• n型窒化ガリウム系化合物半導体層への電極形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-002326   出願人：古河電気工業株式会社
• 半導体発光素子とその製造方法、及び半導体発光装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-200298   出願人：株式会社東芝
• 窒化物半導体素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-270375   出願人：日亜化学工業株式会社