成膜装置

発明者： , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (2件)：工藤実 , 工藤実 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-135327
公開番号（公開出願番号）：特開2003-328137
出願日： 2002年05月10日
公開日（公表日）： 2003年11月19日
要約：

【要約】【課題】膜質制御と成膜制御を両立させること。【解決手段】ガスが導入される真空容器1の中に配置される電極6には、負の直流パルス電圧12と正のバイアス電圧13が供給される。バイアス電圧13は、時間的に隣り合う2つの直流パルス電圧12,12の時間的間で電極6に印加される。バイアス電圧13は交流電圧又はバイポーラパルス電圧の正側電圧として供給され得る。バイアス電圧によりプラズマのイオンシースを効果的に生成してプラズマCVDによる処理面に対する均一な堆積と、負の直流パルス電圧の印加によるイオン注入とにより、バイアス電圧と直流パルス電圧の独立的制御により制御変数が2つに増大して、成膜速度と膜質制御とを両立させることができる。

請求項（抜粋）：

ガスが導入される真空容器と、前記真空容器の中に配置される電極とを具え、前記電極には、負の直流パルス電圧と交流電圧が供給され、前記交流電圧は、時間的に隣り合う2つの前記直流パルス電圧の時間的間で前記電極に印加され、前記交流電圧と前記直流パルス電圧は独立に制御され、処理対象は前記電極に電気的に接合し、前記処理対象は誘電体の食品用の中空容器である成膜装置。

IPC (6件)：

C23C 16/50 , B65D 25/14 , C08J 7/04 CER , C08J 7/04 CEZ , H05H 1/24 , C08L101:00

FI (6件)：

C23C 16/50 , B65D 25/14 Z , C08J 7/04 CER A , C08J 7/04 CEZ , H05H 1/24 , C08L101:00

Fターム (21件)：

3E062AA09 , 3E062AB02 , 3E062AB14 , 3E062JA01 , 3E062JA07 , 3E062JB24 , 4F006AA11 , 4F006AA31 , 4F006AB72 , 4F006BA00 , 4F006BA02 , 4F006BA05 , 4F006CA00 , 4F006DA01 , 4K030CA07 , 4K030CA15 , 4K030EA06 , 4K030FA01 , 4K030FA03 , 4K030JA17 , 4K030KA41

引用特許：

審査官引用 (5件)

表面改質方法及び表面改質装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-196924 出願人：工業技術院長, 株式会社栗田製作所
特開平2-070059
ダイヤモンド状炭素膜形成方法及び製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-064923 出願人：日本真空技術株式会社

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