特許
J-GLOBAL ID：200903040254959607
多層配線構造およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉村 暁秀 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-026641
公開番号（公開出願番号）：特開平7-263589
出願日： 1995年02月15日
公開日（公表日）： 1995年10月13日
要約：
【要約】【目的】 エレクトロマイグレーション耐性が高く、コンタクト抵抗の低い多層配線構造およびその製造方法を提供する。【構成】 シリコン基板201 上に下層配線213 を形成し、その上にヴィア孔205を有する層間絶縁膜204 を形成した後、アルミの選択CVD でプラグ206 をヴィア孔から突出するように形成し、TiN 膜217-1 を全面に堆積した後、CMP 法によってプラグの突出部およびその上のTiN 膜を研磨除去し、アルミ合金膜217-2 を形成し、さらにその上にTiN 膜217-3 を形成し、最後にパターニングして上層配線217 を形成する。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成された下層配線と、それぞれ1層以上の、アルミニウム膜もしくはアルミニウム合金膜と、高融点金属膜もしくは高融点金属化合物膜とが積層された上層配線と、これら下層配線と上層配線との間に、これらを分離するように形成された層間絶縁膜と、この層間絶縁膜に形成されたヴィア孔と、このヴィア孔内に埋め込まれて前記下層配線と上層配線とを接続する、アルミニウムまたはアルミニウム合金からなるプラグとを具えた多層配線構造であって、前記上層配線の最下層が高融点金属膜もしくは高融点金属化合物膜であり、かつ、前記プラグと、前記上層配線との接続が、アルミニウム同士の接触、アルミニウム合金同士の接触、アルミニウムとアルミニウム合金との接触の内の一つによってなされていることを特徴とする多層配線構造。
引用特許：
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