磁気センサ及びその製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：茂見穰
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-148441
公開番号（公開出願番号）：特開2000-338211
出願日： 1999年05月27日
公開日（公表日）： 2000年12月08日
要約：

【要約】【課題】 4個のスピンバルブ型磁気抵抗素子を同一基板上に配列形成して、構造が複雑化することなくブリッジ結線できるようにする。【解決手段】 4個のスピンバルブ型磁気抵抗素子が単一基板上で菱形の頂点位置に配列形成されると共に、前記基板上でそれら各磁気抵抗素子間をループ状に接続する導電体層が形成されており、各磁気抵抗素子の磁界に応答し難いピン止め磁性層の磁化方向が、対角の位置関係にある磁気抵抗素子同士では平行、隣接する位置関係にある磁気抵抗素子同士では反平行となっている構造である。磁気抵抗素子は、スピンバルブ型GMR素子でもよいし、スピンバルブ型トンネルMR素子でもよい。これらの磁気センサは、ストライプ状に多極着磁した永久磁石板10の上に基板を載せ、磁気抵抗素子12の成膜を行うか、あるいは磁気抵抗素子の熱処理を行うことで製造する。

請求項（抜粋）：

4個のスピンバルブ型磁気抵抗素子が単一基板上で菱形の頂点位置に配列形成されると共に、前記基板上でそれら各磁気抵抗素子間をループ状に接続する導電体層が形成されており、前記各磁気抵抗素子の磁界に応答し難いピン止め磁性層の磁化方向が、対角の位置関係にある磁気抵抗素子同士では平行、隣接する位置関係にある磁気抵抗素子同士では反平行となっていることを特徴とする磁気センサ。

IPC (2件)：

G01R 33/09 , H01L 43/08

FI (2件)：

G01R 33/06 R , H01L 43/08 Z

Fターム (4件)：

2G017AD55 , 2G017AD62 , 2G017AD63 , 2G017AD65

引用特許：

審査官引用 (4件)

磁気抵抗性ブリッジ素子のブリッジ回路を有する磁界センサ
公報種別：公表公報出願番号：特願平8-536106 出願人：シーメンスアクチエンゲゼルシヤフト
ブリッジ回路における磁気抵抗性薄膜センサ素子の磁化装置
公報種別：公表公報出願番号：特願平8-536109 出願人：シーメンスアクチエンゲゼルシヤフト
磁界センサ、そんなセンサを具えた装置及びそんなセンサを製造する方法
公報種別：公表公報出願番号：特願平7-526837 出願人：フィリップスエレクトロニクスネムローゼフェンノートシャップ

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