半導体装置とその製造方法

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者： , ,
代理人 (1件)：特許業務法人快友国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-053543
公開番号（公開出願番号）：特開2009-212291
出願日： 2008年03月04日
公開日（公表日）： 2009年09月17日
要約：

【課題】窒化物半導体層のヘテロ接合を有する半導体装置において、動作温度の上昇に伴うドレイン電流の減少を低減できる半導体装置とその製造方法を提供する。【解決手段】 HEMT100は、アンドープのGaN層2とn型のAlGaN層4が順に積層されている半導体基板5と、半導体基板5の表面に形成されているソース電極6、ドレイン電極10と、ソース電極6とドレイン電極10の間に形成されているゲート電極8を備えている。半導体基板5の表面には、ソース電極6とドレイン電極10を結ぶ方向に伸びる第1側面12aと、第1側面に直交する方向に伸びる第2側面12bを形成する複数の凹部14群が形成されている。ゲート電極8は、第1側面12aと第2側面12bを被覆している。HEMT100では、メサ型の伝導チャネルが並列に接続されている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

窒化物半導体下層と窒化物半導体上層が積層されている半導体基板と、その半導体基板の表面に形成されているソース電極とドレイン電極と、そのソース電極とドレイン電極の間に位置している前記半導体基板の表面に形成されているゲート電極を備えており、前記窒化物半導体下層の表面に、前記ソース電極とドレイン電極を結ぶ方向に伸びている側面を形成する凹凸が形成されており、前記窒化物半導体上層は、前記窒化物半導体下層よりも大きなバンドギャップを備えており、前記表面又は表面と側面に露出している前記窒化物半導体下層に対してヘテロ接合しており、前記ゲート電極は、前記凹部よりも前記ソース電極寄りの半導体基板の表面と前記凹部よりも前記ドレイン電極寄りの半導体基板の表面をも覆っていることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/338 , H01L 29/778 , H01L 29/812 , H01L 29/78

FI (3件)：

H01L29/80 H , H01L29/78 301B , H01L29/78 301V

Fターム (36件)：

5F102FA00 , 5F102GB01 , 5F102GB05 , 5F102GC01 , 5F102GD10 , 5F102GJ10 , 5F102GL04 , 5F102GM04 , 5F102GQ01 , 5F102GS01 , 5F102GT01 , 5F102GT03 , 5F102HC01 , 5F102HC02 , 5F102HC15 , 5F140AA29 , 5F140AC26 , 5F140BA06 , 5F140BA09 , 5F140BA16 , 5F140BB03 , 5F140BB05 , 5F140BB18 , 5F140BC13 , 5F140BC15 , 5F140BD11 , 5F140BF05 , 5F140BF11 , 5F140BF15 , 5F140BF44 , 5F140BJ01 , 5F140BJ05 , 5F140BJ11 , 5F140BJ15 , 5F140BK24 , 5F140BK38

引用特許：

出願人引用 (1件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-022098 出願人：トヨタ自動車株式会社, 株式会社豊田中央研究所

審査官引用 (3件)

窒化物半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-156458 出願人：ローム株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-120101 出願人：サンケン電気株式会社, 古河電気工業株式会社
電子波干渉素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-022745 出願人：日本電信電話株式会社

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