特許

J-GLOBAL ID：200903040325877216

ECL回路の基本セルおよびその形成方法

発明者： 北沢 仁志 ,  武井 雄一郎 ,  小池 恵一
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 小林 将高
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-062466
公開番号（公開出願番号）：特開平6-252368
出願日： 1993年03月01日
公開日（公表日）： 1994年09月09日
要約：

【要約】【目的】 抵抗素子による面積の増大を抑え、しかも抵抗値を連続的に変化させることができる抵抗素子を持つECL回路の基本セルを提供する。【構成】所定のパタンの抵抗体R00の一端を配線W2にコンタクトCn2で接続し、抵抗体R00の中途において配線W1にコンタクトCn1でコンタクトCn2とC n1の間の抵抗値が所定値になるように接続して抵抗素子Rとしたことを特徴としている。

請求項（抜粋）：

ECL回路に用いられる抵抗素子を含む基本セルであって、前記抵抗素子は所定の長さのパタンの抵抗体を有し、この抵抗体の一端は第1の配線に接続され、前記抵抗体の中途において第2の配線に接続されて形成されていることを特徴とするECL回路の基本セル。

IPC (5件)：

H01L 27/118 ,  H01C 10/38 ,  H01L 27/04 ,  H03K 19/086 ,  H03K 19/173

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平3-166821
  
• 特開平2-174249
  
• ゲートアレイ型半導体集積回路装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-215875   出願人：日本電気株式会社
• 特開平2-122545