特許

J-GLOBAL ID：200903040356050808

半導体装置及びその製造方法

発明者： 福住 嘉晃
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 外川 英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-071125
公開番号（公開出願番号）：特開2000-269424
出願日： 1999年03月17日
公開日（公表日）： 2000年09月29日
要約：

【要約】【課題】導電性金属酸化物をストレージノードに用いながら微細化加工を可能とすると同時に半導体装置の高速化を図ることは困難であった。【解決手段】ストレージノード25を構成する金属酸化物28を金属膜67と被膜とを反応させて自己整合的に形成することにより、微細加工を可能とし、さらに、ストレージノード25を金属膜67と金属酸化物28とから構成することにより、低抵抗すなわち高速な半導体装置を提供する。

請求項（抜粋）：

共通の金属元素を含む複数の導電膜を含む積層構造である第1のキャパシタ電極と、前記第1のキャパシタ電極の表面に形成されたキャパシタ絶縁膜と、前記キャパシタ絶縁膜を挟んで前記第1のキャパシタ電極と対向して形成された第2のキャパシタ電極と、を具備することを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (2件)：

H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 621 Z

Fターム (25件)：

5F038AC04 ,  5F038AC05 ,  5F038AC07 ,  5F038AC15 ,  5F038AC20 ,  5F038DF05 ,  5F038EZ15 ,  5F038EZ20 ,  5F083AD22 ,  5F083AD48 ,  5F083AD60 ,  5F083GA01 ,  5F083GA06 ,  5F083GA28 ,  5F083JA13 ,  5F083JA14 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA45 ,  5F083JA53 ,  5F083JA60 ,  5F083KA05 ,  5F083NA02 ,  5F083NA08 ,  5F083PR40

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 誘電体薄膜素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-242297   出願人：株式会社東芝
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-053219   出願人：株式会社東芝
• キャパシタおよび半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-048220   出願人：富士通株式会社