特許

J-GLOBAL ID：200903064876349683

誘電体薄膜素子

発明者： 福島 伸 ,  阿部 和秀 ,  出羽 光明
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 須山 佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-242297
公開番号（公開出願番号）：特開平10-093036
出願日： 1996年09月12日
公開日（公表日）： 1998年04月10日
要約：

【要約】【課題】 誘電体薄膜と下部電極との界面整合性を高めた上で、下部電極の下側に存在するSiプラグやWプラグ等の導電層表面の表面性状や電気的特性等に悪影響を及ぼすような酸化を防止する。【解決手段】 導電性ペロブスカイト型酸化物からなる下部電極4と、この下部電極4上に形成されたペロブスカイト型酸化物からなる誘電体薄膜5とを具備する誘電体薄膜素子3において、下部電極4の下地層7として、その酸化物が導電性を有する金属、および導電性を有する前記金属の窒化物、珪化物、酸化物から選ばれる少なくとも 1種からなる層、例えばRu、Re、Os、Rh、Irまたはこれらの酸化物、珪化物、窒化物等からなる層や、酸化しないPtやAuからなる層、あるいは導電性ペロブスカイト型酸化物の非晶質層を設ける。

請求項（抜粋）：

導電性ペロブスカイト型酸化物からなる下部電極と、前記下部電極上に形成されたペロブスカイト型酸化物からなる誘電体薄膜とを具備する誘電体薄膜素子において、前記下部電極の下地層として、その酸化物が導電性を有する金属、および導電性を有する前記金属の窒化物、珪化物、酸化物から選ばれる少なくとも 1種からなる層が設けられていることを特徴とする誘電体薄膜素子。

IPC (12件)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  C01G 51/00 ,  H01B 3/12 301 ,  H01B 3/12 304 ,  H01G 4/33 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (8件)：

H01L 27/10 651 ,  C01G 51/00 A ,  H01B 3/12 301 ,  H01B 3/12 304 ,  H01L 27/10 451 ,  H01G 4/06 102 ,  H01L 27/04 C ,  H01L 29/78 371

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-235352   出願人：株式会社東芝
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-233930   出願人：株式会社東芝
• 強誘電体ダイオード素子、並びにそれを用いたメモリー装置、フィルター素子及び疑似脳神経回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-055951   出願人：三菱化学株式会社