酸化物半導体発光素子

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：青山葆 , 河宮治 , 山崎宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-003210
公開番号（公開出願番号）：特開2004-221112
出願日： 2003年01月09日
公開日（公表日）： 2004年08月05日
要約：

【課題】発光ダイオード素子や半導体レーザ素子等に適用することができ、光取り出し効率が高く動作電圧の低い酸化物半導体発光素子を提供する。【解決手段】基板上に、n型ZnO系半導体層、ZnO系半導体発光層およびp型半導体層が形成された酸化物半導体発光素子に対して:(1)基板裏面への補助電極形成;(2)p型オーミック電極の薄層化;および(3)基板裏面の粗面化の3つの光取り出し効果改善施策を全て施して作製する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

導電性基板の主面上にZnO系半導体発光層を含む成長層が形成され、ここに、該導電性基板は該発光層から発光された光の波長に対して透光性を有する酸化物半導体発光素子であって、該導電性基板の裏面は粗面化され、該粗面化された基板の裏面上に、任意の平面形状にパターン加工された第1のオーミック電極と、前記第1のオーミック電極と接触する補助電極とが形成され、該成長層主表面全面に、透光性を有する第2のオーミック電極が形成され、さらに、該第2のオーミック電極上にパッド電極が形成されていることを特徴とする該酸化物半導体発光素子。

IPC (1件)：

H01L33/00

FI (2件)：

H01L33/00 E , H01L33/00 D

Fターム (17件)：

5F041AA03 , 5F041AA24 , 5F041CA04 , 5F041CA05 , 5F041CA12 , 5F041CA41 , 5F041CA73 , 5F041CA74 , 5F041CA76 , 5F041CA77 , 5F041CA88 , 5F041CA91 , 5F041CA93 , 5F041CB11 , 5F041DA02 , 5F041DA16 , 5F041DA43

引用特許：

審査官引用 (8件)

炭化珪素を用いたpn接合型発光ダイオード
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-093983 出願人：シャープ株式会社
半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-193525 出願人：独立行政法人産業技術総合研究所, ローム株式会社
特開昭61-110476

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