半導体発光素子および発光ランプ

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：福島祥人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-069421
公開番号（公開出願番号）：特開平10-270754
出願日： 1997年03月24日
公開日（公表日）： 1998年10月09日
要約：

【要約】【課題】光出力が向上された半導体発光素子を提供することである。【解決手段】サファイヤ基板1上にAlGaNバッファ層1a、n側コンタクト層を兼ねるn型GaNクラッド層2、n型InGaN活性層3、p型AlGaNクラッド層4およびp型GaNコンタクト層5が順に形成される。p型GaNコンタクト層5からn型GaNクラッド層2の所定深さまでの一部領域が除去され、n型GaNクラッド層2が露出している。露出したn型GaNクラッド層2上にn側電極6が形成され、p型GaNコンタクト層5上にp側電極8が形成される。サファイヤ基板1の裏面に金属反射膜8が形成される。

請求項（抜粋）：

透光性基板上に発光層を含む複数の半導体層が積層されるとともに、前記透光性基板の裏面に前記発光層により発生された光を反射する反射層が形成されたことを特徴とする半導体発光素子。

IPC (2件)：

H01L 33/00 , H01S 3/18

FI (2件)：

H01L 33/00 C , H01S 3/18

引用特許：

出願人引用 (5件)

発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-190069 出願人：豊田合成株式会社, 新技術事業団, 赤崎勇, 天野浩
窒化物半導体発光ダイオード
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-217594 出願人：日亜化学工業株式会社
特開昭59-023579

全件表示

審査官引用 (5件)

発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-190069 出願人：豊田合成株式会社, 新技術事業団, 赤崎勇, 天野浩
窒化物半導体発光ダイオード
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-217594 出願人：日亜化学工業株式会社
特開昭59-023579

全件表示

前のページに戻る