特許
J-GLOBAL ID：200903040371674206

誘電体形成用組成物、その製造方法、ならびにそれを用いた誘電体膜、キャパシタ

発明者：
山田 欣司

山田 欣司 について

, 
篠田 智隆

篠田 智隆 について


出願人/特許権者：
JSR株式会社

JSR株式会社 について


代理人 (4件)： 鈴木 俊一郎 ,  牧村 浩次 ,  高畑 ちより ,  鈴木 亨
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-311900
公開番号（公開出願番号）：特開2005-075713
出願日： 2003年09月03日
公開日（公表日）： 2005年03月24日
要約：
【解決手段】 本発明の誘電体形成用組成物は、ABOx型の結晶構造を有する平均粒径100nm以下の粒子と有機溶媒とを含み、かつ、金属種Aの液中濃度が1モル%以下であることを特徴としている。 【効果】 本発明の誘電体形成用組成物によれば、400°C以下の穏やかな条件下でも良好な誘電特性を有する誘電体膜を作製することができる。このため、加熱炉での高温加熱、焼成による結晶化が必要な従来のプロセスと比較して誘電体膜の形成プロセスが簡便になり、生産性が大幅に向上する。さらに、本発明によれば、高温での結晶化工程が不要となり、高温での結晶化工程が必要な従来のゾル-ゲル法では適用不可能であった耐熱性の低い各種基板に対しても誘電特性の良好な結晶化膜を作製することが可能になる。 【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
金属種AがLi、Na、Ca、Sr、Ba、Laから選ばれる一種類以上の金属であり、金属種BがTi、Zr、Ta、Nbから選ばれる一種類以上の金属であるABOx型の結晶構造を有する平均粒径100nm以下の粒子と有機溶媒とを含み、かつ、金属種Aの液中濃度が1モル%以下であることを特徴とする誘電体形成用組成物。
IPC (5件)：
C04B35/46 ,  C04B35/49 ,  C04B35/495 ,  H01B3/12 ,  H01G4/33
FI (8件)：
C04B35/46 C ,  C04B35/49 Z ,  H01B3/12 303 ,  H01B3/12 312 ,  H01B3/12 313L ,  H01B3/12 338 ,  C04B35/00 J ,  H01G4/06 102
Fターム (61件)：
4G030AA02 ,  4G030AA03 ,  4G030AA08 ,  4G030AA09 ,  4G030AA10 ,  4G030AA13 ,  4G030AA16 ,  4G030AA17 ,  4G030AA20 ,  4G030AA21 ,  4G030BA09 ,  4G030CA01 ,  4G030CA08 ,  4G030GA01 ,  4G030GA04 ,  4G030GA11 ,  4G030GA16 ,  4G030GA17 ,  4G030GA20 ,  4G031AA01 ,  4G031AA04 ,  4G031AA05 ,  4G031AA06 ,  4G031AA09 ,  4G031AA11 ,  4G031AA12 ,  4G031AA14 ,  4G031AA15 ,  4G031BA09 ,  4G031CA01 ,  4G031CA08 ,  4G031GA01 ,  4G031GA03 ,  4G031GA04 ,  4G031GA05 ,  4G031GA06 ,  4G047CA07 ,  4G047CB06 ,  4G047CC02 ,  4G047CD02 ,  4G047CD08 ,  5E082AB03 ,  5E082BC40 ,  5E082FG03 ,  5E082FG27 ,  5G303AA01 ,  5G303AA02 ,  5G303AB15 ,  5G303BA03 ,  5G303BA12 ,  5G303CA01 ,  5G303CB03 ,  5G303CB06 ,  5G303CB15 ,  5G303CB16 ,  5G303CB20 ,  5G303CB21 ,  5G303CB32 ,  5G303CB33 ,  5G303CB35 ,  5G303CB39
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (2件)

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