特許
J-GLOBAL ID：200903040393390325
絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊丹 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-327215
公開番号（公開出願番号）：特開2003-258253
出願日： 2002年11月11日
公開日（公表日）： 2003年09月12日
要約：
【要約】【課題】 製造効率を低下させることなく低オン電圧特性を得ることができる絶縁ゲート型バイポーラトランジスタを提供する。【解決手段】 絶縁ゲート型バイポーラトランジスタは、第1導電型の第1半導体層と、この第1半導体層の表面に形成された第2導電型の第2半導体層と、この第2半導体層の表面に形成された第1導電型のベース層と、このベース層の表面から第2半導体層に達する深さに形成されたトレンチにゲート絶縁膜を介して埋め込まれて、それぞれ上面が直交する2軸方向の幅の異なる矩形パターンをなしてその短手方向に複数個配列されたゲート電極と、前記ベース層の表面に前記各ゲート電極の長手方向両端部に対向するように形成された第2導電型のエミッタ層と、このエミッタ層とベース層にコンタクトする第1の主電極と、前記第1半導体層の裏面に形成された第2の主電極とを有する。
請求項（抜粋）：
第1導電型の第1半導体層と、前記第1半導体層の表面に形成された第2導電型の第2半導体層と、前記第2半導体層の表面に形成された第1導電型のベース層と、前記ベース層の表面から前記第2半導体層に達する深さに形成されたトレンチにゲート絶縁膜を介して埋め込まれて、それぞれ上面が直交する2軸方向の幅の異なる矩形パターンをなしてその短手方向に複数個配列されたゲート電極と、前記ベース層の表面に前記各ゲート電極の長手方向両端部に対向するように形成された第2導電型のエミッタ層と、前記エミッタ層とベース層にコンタクトする第1の主電極と、前記第1半導体層の裏面に形成された第2の主電極と、を有することを特徴とする絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ。
IPC (5件)：
H01L 29/78 652
, H01L 29/78
, H01L 29/78 653
, H01L 29/78 655
, H01L 21/336
H01L 29/78 652 K
, H01L 29/78 652 B
, H01L 29/78 653 A
, H01L 29/78 655 F
, H01L 29/78 658 E
, H01L 29/78 658 G
