特許
J-GLOBAL ID：200903019173426460
半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-065761
公開番号（公開出願番号）：特開平11-103057
出願日： 1998年03月16日
公開日（公表日）： 1999年04月13日
要約：
【要約】【課題】 本発明は、携帯用機器のスイッチング素子としても使用でき、低耐圧と低オン抵抗の実現を図る。【解決手段】 多結晶半導体層10の左右又は上下を絶縁膜8を介してゲート電極9に挟まれてなる半導体装置であって、前記多結晶半導体層は、両端が中央部よりも高濃度に不純物を含有して夫々ソース領域6及びドレイン領域7を形成し、前記中央部がチャネル領域5を形成する半導体装置。
請求項（抜粋）：
平板形状を有し、両端が中央部よりも高濃度に不純物を含有して夫々ソース領域及びドレイン領域を形成し、前記中央部がチャネル領域を形成する第1の多結晶半導体層と、前記第1の多結晶半導体層の中央部を両面から夫々絶縁膜を介して挟む複数のゲート電極と、前記ソース領域に形成されたソース電極と、前記ドレイン領域に形成されたドレイン電極とを備えたことを特徴とする半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 29/78
, H01L 21/8234
, H01L 27/088
, H01L 27/08 331
, H01L 29/786
H01L 29/78 653 A
, H01L 27/08 331 E
, H01L 27/08 102 E
, H01L 29/78 301 V
, H01L 29/78 613 Z
, H01L 29/78 618 F
, H01L 29/78 626 A
, H01L 29/78 653 D
, H01L 29/78 655 A
