独立してアドレス可能なモノリシック・レーザーアレイ

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小堀益 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-196119
公開番号（公開出願番号）：特開平10-070337
出願日： 1997年07月22日
公開日（公表日）： 1998年03月10日
要約：

【要約】【課題】頂部又は底部の活性領域の何れかを取り除くという必要を排除するモノリシックレーザーアレイを提供する。【解決手段】表面構造を有する基板102と、第1の光共振器の中に第1のレーザー要素141を形成し、第2の光共振器の中に第2のレーザー要素144を形成し、第1及び第2の光共振器が空間的に分離される、複数の半導体レーザー140,142と、横方向における第1レーザー要素141内の光学フィールドの閉込めを提供する成長式の側方導波管作用領域と、第1及び第2のレーザー要素141,144の間に形成され、第1及び第2のレーザー要素を電気的に絶縁する絶縁領域と、第1及び第2のレーザー要素141,144の各々に対して接続され、レーザー要素の各々が独立して放射を出す電極147,148,145,146とから構成される独立してアドレス可能な半導体レーザーアレイ。

請求項（抜粋）：

表面構造を有する基板と;第1の光共振器の中に第1のレーザー要素を形成し、第2の光共振器の中に第2のレーザー要素を形成し、前記第1及び第2の光共振器が空間的に分離される、複数の半導体レーザーと;横方向における前記第1レーザー要素内の光学フィールドの閉込めを提供する、前記構造によって形成される前記第1レーザー要素のための成長式の側方導波管作用領域と;前記第1及び第2のレーザー要素の間に形成され、前記第1及び第2のレーザー要素を電気的に絶縁する絶縁領域と;前記第1及び第2のレーザー要素の各々に対して接続され、前記レーザー要素の各々が独立して放射を出す電極とから構成される:独立してアドレス可能な半導体レーザーアレイ。

引用特許：

審査官引用 (12件)

特開平1-272177
特開昭62-196885
特開平3-071687

全件表示

前のページに戻る