円筒状多層構造体による半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：石田敬 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-275089
公開番号（公開出願番号）：特開2003-086796
出願日： 2001年09月11日
公開日（公表日）： 2003年03月20日
要約：

【要約】【課題】ショートチャネル効果の抑制に有効で、且つ、高速動作、高周波動作、そして高電流駆動能力等を可能にする半導体装置の提供。【解決手段】炭素元素から構成される円筒状の多層構造体12であって内側の円筒体14が半導体的性質を有し、外側の円筒体16が金属的性質を有する多層構造体12を含み、この多層構造体12の内側円筒体14の電気伝導度を外側円筒体16に印加する電圧により制御する半導体装置10とし、そのために、内側円筒体14の外側円筒体16をはさんで相対する側にそれぞれ接続する導電体18、20と、外側円筒体16に電圧を印加する手段22とを設ける。

請求項（抜粋）：

炭素元素から構成される円筒状の多層構造体であって内側の円筒体が半導体的性質を有し、外側の円筒体が金属的性質を有する多層構造体を含み、この多層構造体の内側円筒体の電気伝導度を外側円筒体に印加する電圧により制御することを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 29/78 , H01L 29/78 653 , H01L 29/06 601 , H01L 29/786

FI (4件)：

H01L 29/78 653 B , H01L 29/06 601 N , H01L 29/78 301 X , H01L 29/78 618 B

Fターム (19件)：

5F110AA01 , 5F110CC01 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110EE04 , 5F110EE28 , 5F110EE31 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110GG01 , 5F110HK06 , 5F140AA01 , 5F140AA21 , 5F140AA29 , 5F140AC23 , 5F140AC36 , 5F140BA01 , 5F140BB04 , 5F140BC12

引用特許：

審査官引用 (4件)

電界効果トランジスタ
公報種別：公表公報出願番号：特願2002-507461 出願人：インフィネオンテクノロジーズアクチエンゲゼルシャフト
集積回路装置及び集積回路装置製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-135322 出願人：富士通株式会社
冷蔵庫
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-218269 出願人：株式会社富士通ゼネラル

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