特許
J-GLOBAL ID：200903040406093562

半導体チップモジュール用多層回路基板およびその製造方法

発明者：
平沢 宏希

平沢 宏希 について

, 
小野 輝生

小野 輝生 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について

, 
株式会社渕上ミクロ

株式会社渕上ミクロ について


代理人 (1件)： 岩佐 義幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-264410
公開番号（公開出願番号）：特開2000-100987
出願日： 1998年09月18日
公開日（公表日）： 2000年04月07日
要約：
【要約】【課題】 高密度配線に適した半導体チップ用多層回路基板を提供する。【解決手段】 下地基板として金属板1を使用し、金属板1の上に積層された、それぞれ固定電位配線4を有する複数の絶縁層2,3とを備え、金属板1を固定電位として用い、各々の絶縁層2,3は、金属6を充填されたビアホール5を有し、ビアホール5に充填された金属6により、各絶縁層2,3上の固定電位配線と4金属板1とを接続し、固定電位配線の長さを短くした。
請求項（抜粋）：
下地基板と、下地基板の上に積層された、それぞれ配線層を有する複数の絶縁層とを備え、半導体チップを搭載する半導体チップモジュール用多層回路基板において、前記下地基板は、固定電位が与えられる金属板であり、前記各絶縁層は、金属を充填されたビアホールを有し、前記各配線層は、固定電位配線を有し、前記ビアホールに充填された金属により、前記各絶縁層上の固定電位配線と、前記金属板とを接続し、固定電位配線長を短くしたことを特徴とする半導体チップモジュール用多層回路基板。
IPC (2件)：
H01L 23/12 ,  H05K 3/46
FI (3件)：
H01L 23/12 N ,  H05K 3/46 Q ,  H05K 3/46 N
Fターム (9件)：
5E346AA43 ,  5E346CC08 ,  5E346CC10 ,  5E346CC32 ,  5E346CC38 ,  5E346FF24 ,  5E346GG08 ,  5E346HH17 ,  5E346HH25
引用特許：
審査官引用 (3件)

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