半導体発光素子

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：河村洌
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-335450
公開番号（公開出願番号）：特開平11-168238
出願日： 1997年12月05日
公開日（公表日）： 1999年06月22日
要約：

【要約】【課題】電流拡散層とその上に設けられる電極との間の接触面積を大きくすることにより電流密度を下げて駆動電圧を低くしながら、電極の投影面積を大きくせず、表面側から取り出す光の遮断が増えない半導体発光素子を提供する。【解決手段】基板1上にn形層3およびp形層5が積層され発光層を形成する発光層形成部11が設けられ、発光層形成部11の表面側に電流拡散層6が設けられている。その電流拡散層6の表面に電極8が設けられ、その電極8と接触する部分の電流拡散層6の表面に凹凸面が形成されている。

請求項（抜粋）：

基板と、該基板上にn形層およびp形層が積層され発光層を形成する発光層形成部と、該発光層形成部の表面側に設けられる電流拡散層と、該電流拡散層の表面に設けられる電極とを備える半導体発光素子であって、前記電極と接触する部分の前記電流拡散層の表面が凹凸面に形成されてなる半導体発光素子。

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-309238 出願人：株式会社東芝
半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-259702 出願人：株式会社東芝, 東芝電子エンジニアリング株式会社
特開平3-089578

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