半導体装置およびその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：伊東忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-075937
公開番号（公開出願番号）：特開平11-274121
出願日： 1998年03月24日
公開日（公表日）： 1999年10月08日
要約：

【要約】【課題】誘電率の低い層間絶縁膜を備え、配線パターンの精度の高い層間絶縁膜を備えた半導体装置を提供する。【解決手段】層間絶縁膜を、Siを含有するレジスト膜を硬化させることにより形成する。

請求項（抜粋）：

基板と、前記基板上に形成された層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜中に形成された配線溝と、前記配線溝を埋める導体パターンとを有し、前記層間絶縁膜は、硬化した感光性Si含有レジストよりなることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/304 622 , H01L 21/312 , H01L 21/768

FI (3件)：

H01L 21/304 622 X , H01L 21/312 C , H01L 21/90 S

引用特許：

審査官引用 (7件)

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