特許
J-GLOBAL ID：200903040424966255
量子カスケ-ド半導体レ-ザ装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
青山 葆 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-176613
公開番号（公開出願番号）：特開2000-156545
出願日： 1999年06月23日
公開日（公表日）： 2000年06月06日
要約：
【要約】【課題】 従来例に比較して低価格でかつ簡単な構造を有して、長波長で発振することができる半導体レーザ装置を提供する。【解決手段】 2つの障壁層21,23と2つの量子井戸層22,24とを1周期として複数周期繰り返して積層形成してなる超格子構造層である真性半導体層15を有する超格子半導体素子を備えた量子カスケード半導体レーザ装置である。真性半導体層15の各層の厚さを、バイアス電圧の印加時に、障壁層21のX準位が量子井戸層22の第2の準位と実質的に共鳴しかつ量子井戸層22の第1の準位が量子井戸層24の第1の準位と実質的に共鳴して反転分布を形成するように設定され、注入した電子を障壁層21のX準位から量子井戸層22の第2の準位に移動させた後、量子井戸層22の第1の準位に遷移させて発光させ、さらに量子井戸層23の第1の準位を介して次段の障壁層21のX準位に遷移させてレーザ発振させる。
請求項（抜粋）：
2つの電極間に、超格子構造層を有する超格子半導体素子を備えた量子カスケード半導体レーザ装置において、上記超格子構造層は、第1の障壁層と第1の量子井戸層と第2の障壁層と第2の量子井戸層とを1周期として複数周期繰り返して積層形成してなり、上記第1の障壁層と第1の量子井戸層と第2の障壁層と第2の量子井戸層の各厚さを、上記超格子半導体素子に所定のバイアス電圧を印加したときに、上記第1の障壁層のX準位が上記第1の量子井戸層の第2の準位と実質的に共鳴しかつ上記第1の量子井戸層の第1の準位が上記第2の量子井戸層の第1の準位と実質的に共鳴して、上記第1の量子井戸層の第2の準位のキャリア数が上記第1の量子井戸層の第1の準位のキャリア数よりも多くなるような反転分布を形成するように設定され、上記超格子半導体素子に上記バイアス電圧を印加することにより注入した電子を上記第1の障壁層のX準位から上記第1の量子井戸層の第2の準位に移動させた後、上記第1の量子井戸層の第1の準位に遷移させることにより発光させ、次いで、上記第1の量子井戸層の第1の準位から上記第2の量子井戸層の第1の準位を介して次段の上記第1の障壁層のX準位に遷移させることにより、レーザ発振させることを特徴とする量子カスケード半導体レーザ装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01S 3/18 676
, H01L 29/06
