ビスマス化合物の製造方法とビスマス化合物の誘電体物質

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：松隈秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-213694
公開番号（公開出願番号）：特開平9-059021
出願日： 1995年08月22日
公開日（公表日）： 1997年03月04日
要約：

【要約】【課題】ビスマス化合物による誘電体において導電性の副生成相の生成を抑制する。【解決手段】圧力0.01〜50torrの雰囲気中で原料ガスを導入し、ビスマス化合物の前駆物質を基体上に堆積した後、酸化性雰囲気中で熱処理を行うビスマス化合物の製造方法。

請求項（抜粋）：

圧力0.01〜50torrの雰囲気中で原料ガスを導入し、ビスマス化合物の前駆物質を基体上に堆積した後、酸化性雰囲気中で熱処理を行うことを特徴とするビスマス化合物の製造方法。

IPC (5件)：

C01G 29/00 , C23C 14/08 , C23C 16/40 , H01L 27/04 , H01L 21/822

FI (4件)：

C01G 29/00 , C23C 14/08 K , C23C 16/40 , H01L 27/04 C

引用特許：

審査官引用 (2件)

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