特許
J-GLOBAL ID：200903040450236664
半導体検査用標準ウエハ、半導体の検査方法および半導体検査装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
作田 康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-110996
公開番号（公開出願番号）：特開2004-319721
出願日： 2003年04月16日
公開日（公表日）： 2004年11月11日
要約：
【課題】標準ウエハを用いた半導体製造工程途中のウエハを検査する技術として、あらゆる接合やウエルの抵抗を持つウエハに対応して、高速・高精度に非破壊で欠陥の抵抗値を推定する。また、装置間の感度差を無くして、検査レシピを複数の装置で共有できる検査システムおよび方法を提供する。さらに、半導体製造プロセスの管理において、プロセス異常を早期に発見して定量解析することによって、早期にプロセス対策を行うのに寄与する。【解決手段】欠陥の抵抗または残膜厚が既知の標準ウエハを用いて、検査装置の感度較正を行う。標準ウエハの欠陥部の抵抗として、既知の抵抗値を変化させたウエハを作成する。また、ウエルの容量および接合の抵抗を数種類変化させたものを標準ウエハに作りこむ。標準ウエハの二次電子画像から、検査装置の感度較正を行う。また、標準ウエハの二次電子画像から、被検査ウエハの検査で検出された欠陥の抵抗値または残膜厚を非破壊で推定する。【選択図】 図7
請求項（抜粋）：
配線パターンと該配線パターンの電気的欠陥とが形成された標準試料を用いて所望の検査パラメータ→欠陥部の抵抗値を推定する半導体の検査方法であって、
前記標準試料に第1の照射条件で電子線を照射して第1の電子線画像を取得し、
画像中の画素信号強度と前記検査パラメータとを座標軸とする空間に対し、前記第1の電子線画像の欠陥箇所の画素信号強度をマッピングすることにより、分布1を求め、
前記標準試料に第2の照射条件で電子線を照射して第2電子線画像を取得し、
前記空間に対し、該第2の電子線画像の欠陥箇所の画像信号強度をマッピングすることにより、分布2を求め、
被検査試料に前記第1の照射条件で電子線を照射して第3の電子線画像を取得し、
該被検査試料に前記第2の照射条件で電子線を照射して第4の電子線画像を取得し、
前記空間上で、信号強度が前記第3の電子線画像中の欠陥箇所の画素信号強度に等しい面と前記分布1との交線1を求め、
前記空間上で、信号強度が前記第4の電子線画像中の欠陥箇所の画素信号強度に等しい面と前記分布2との交線を求め、
前記交線1と前記交線2との交点を求め、該交点の座標から検査パラメータの値を推定することを特徴とする半導体の検査方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (7件)：
4M106AA01
, 4M106BA02
, 4M106CA10
, 4M106CA15
, 4M106CA16
, 4M106DH09
, 4M106DH50
