特許

J-GLOBAL ID：200903040450505266

半導体装置形成用ウエハ、その製造方法、および電界効果型トランジスタ

発明者： 見田 充郎 ,  大来 英之 ,  戸田 典彦
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 大垣 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-087650
公開番号（公開出願番号）：特開2006-269862
出願日： 2005年03月25日
公開日（公表日）： 2006年10月05日
要約：

【課題】オフ耐圧を従来よりも高めることで、大きな出力電力を得ること。【解決手段】基板12と、基板の主面12a側に形成されたGaNからなる電子走行層16と、電子走行層上に形成されたAlGaNからなる電子供給層18とを備え、電子走行層の厚みが、0.2〜0.9μmであることを特徴とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板と、該基板の主面側に形成されたGaNからなる電子走行層と、該電子走行層上に形成されたAlGaNからなる電子供給層とを備え、 前記電子走行層の厚みが、0.2〜0.9μmであることを特徴とする半導体装置形成用ウエハ。

IPC (3件)：

H01L 29/812 ,  H01L 29/778 ,  H01L 21/338

FI (1件)：

H01L29/80 H

Fターム (16件)：

5F102FA01 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GK08 ,  5F102GL04 ,  5F102GL07 ,  5F102GL17 ,  5F102GM04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR09 ,  5F102HC01

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 高移動度トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-057070   出願人：古河電気工業株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-005093   出願人：松下電器産業株式会社
• GaN系電界効果トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-328873   出願人：古河電気工業株式会社